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[参考译文] TPSI3050-Q1:连续驱动

Guru**** 1144270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1313778/tpsi3050-q1-continuous-drive

器件型号:TPSI3050-Q1

您好-我想使用此器件来控制预充电电路中使用的 MOSFET。 此器件能否持续驱动 MOSFET、即保持 mostfet 关闭? 如果是、因为没有占空比、所以我应该使用什么 Rpxfr?   

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    您好、Mable:

    感谢您在 E2E 上联系我们的团队。 是的、TPSI305x-Q1可用于持续驱动 MOSFET。 为了更好地帮助您、您能否分享有关您的申请的更多详细信息、例如:

    • MOSFET P/N
      • 首次驱动 MOSFET 是否需要时间? (例如、MOSFET 需要在上电后的10ms 内闭合)  

    我得出的结论是、R_PXFR 值会影响 TPSI305x-Q1从上电驱动 MOSFET 的速度。 如果您想自行检查数字、请查看 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)并输入您的系统规格。

    此致、
    T·陈


    固态继电器|应用工程师

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    您好-我没有时间要求。 因此、只要 EN 为高电平、FET 就会被驱动为高电平。  

    谢谢!

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    您好、Mable:

    在预充电应用中、我们通常 会看到整体预充电时间要求(例如400ms)。 选择 MOSFET 后、我建议您使用前面提到的 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)、输入 MOSFET 总栅极电荷、并确定 t_start 是否适用于给定的 R_PXFR

    例如、如果您的总预充电时间要求为10ms、并且您选择了一个总栅极电荷为100nC 的 MOSFET、  如果您的系统预计需要8ms 的时间来充电,那么您可能不想选择最低占空比,因为 t_start 将需要3.3ms。

    此致、
    T·陈


    固态继电器|应用工程师