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器件型号：TPSM843A26 嗨 ,在数据表中 结至顶特征参数是0.3 C/W。 我看到在模块的图片,外壳顶部是由塑料制成,你怎么能得到0.3 C/W 与该盖?
嗨 ,在数据表中 结至顶特征参数是0.3 C/W。 我看到在模块的图片,外壳顶部是由塑料制成,你怎么能得到0.3 C/W 与该盖?
你好，Tahar，
我认为 TI 数据表中的热性能表(6.4)上有一个错误。
在表中 ,结至顶表征参数远低于 结至电路板表征参数。
模块的情况 似乎是由 一种塑料材料制成的,结到顶部的测量在模块顶部的塑料盖的热传导低.
在 热传导较高的 PCB 上测量结到电路板。
能否向 TI 核实数据是否正确？
您好 Drucker：
我能够从我们的热团队处获得更多信息。 请参阅下方的热感图像。 正如我在前一篇文章中所述、多个因素可能会影响模块的热阻。 如您所见、热上升集中在功率级周围、大部分散热发生在芯片上。 而且、由于电感器也具有直流损耗和磁芯损耗、电感器会变热。 由于彼此升温并且物理位置非常接近、因此两者之间的差值会减小。 希望能够解释您的问题。
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参数 |
结果 |
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最高芯片温度 |
89.2 °C |
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最大工业温度 |
89.8 °C |
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Eff。 Theta-JA (芯片) |
13.2 °C/W |
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Eff。 Psi-jt (芯片) |
0.3 °C/W |
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Eff。 PSI-JB (芯片) |
5.5 °C/W |
谢谢！
Tahar