[参考译文] TPS92641EVM：安装了用于偏移消除的电阻器后、SDIM 驱动器中的响应缓慢。

您好、Takeshi：

我是否能够理解您的输入电压、输出电压和输出电流是多少？ 您在 EVM 上还有其他修改吗？

此致、

周老师

抱歉。
我在下面写了一个错误"这解决了我的问题"。
上图是使用 SDIM 进行驱动。

参数为输入电压：48V、输出电压：32V 和输出电流：1A。 在 TPS92641EVM 上、我更改了用于 SDIM 的 Q3的并联 FET (NTD3055-150T4G)。 这些都符合 TPS92641EVM。

当为偏移转换建立1.2MΩ μ s 时、它是否建议输入 PWM 到 SDIM？

最棒的餐厅

武志

您好、Takeshi：

• 上面的蓝色曲线"功率计"是否由电流探头测量并且与输出电流相对应？
• 请发布示波器捕获的原始图片。 上一个问题尚不清楚。
• 还请测量电感器电流和 COMP 引脚电压并向我展示示波器捕获。

此致、

周老师

>上面的蓝色曲线"功率计"是通过电流探头测量的，是否与输出电流相对应？
→蓝色曲线是来自光电探测器的信号。

>请张贴示波器捕获的原始图片。 上一个问题尚不清楚。
→请显示图1

>还请测量电感电流和 COMP 引脚电压,并向我展示示波器捕获。
→如图所示、电感是表面贴装的、所以看来很难测量电感电流。

图2是我认为可用于 SDIM 输入模式的 PMW。 至于该图、使用分流 FET 可以吞下电流。 因此、如果连接了电阻器(针对偏移 cansel_fig3)、响应将会较慢。 如果分流 FET 的电容器为0.1nF、则时间常量将为0.1n×1.2M=0.12ms。
这些解释是否正确？

  图1.示波器捕获的原始图片

      

          图2. SDIM 模式下的开关电流  

         图3. 电路连接偏移转换寄存器

你好、Takeshi。

请测量电感器电流和 COMP 引脚电压并显示示波器捕获。 您可以将电感器焊接到电路板上、然后焊接一根导线来测量电感器电流。 这将帮助我了解这里发生了什么。

Unknown 说：

图2是我认为 SDIM 输入模式的 PMW。 至于该图、使用分流 FET 可以吞下电流。 因此、如果连接了电阻器(针对偏移 cansel_fig3)、响应将会较慢。 如果分流 FET 的电容器为0.1nF、则时间常量将为0.1n×1.2M=0.12ms。
这些解释是否正确？

我需要更多的信息来判断这个解释是否正确。

此致、

周老师

请参阅随附的测量值图表。
从这个数字上,我被误解了。 我预计该延迟是由为 IADJ 安装电容器(C_9)引起的、而不是由用于偏移消除的电阻器引起的。
是否仍需为 IADJ 实施 C_9才能遵循数据表？

"我不建议在进行并联调光时使用大输出电容、因为这种大电容将极大地增加 LED 电流斜升时间。"

↑为什么数据表推荐这样的容量(C9:1 μ F)?  为了实现精细的 模拟调光、需要去除纹波电流钳位？   

您好、Takeshi：

[报价 userid="580902" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1307600/tps92641evm-the-response-is-slow-in-sdim-drive-when-a-resistor-for-offset-cancellation-is-installed/4990719 #4990719"]↑为什么数据表建议这样的容量(C9:1uF)？  为了实现精细的 模拟调光、需要去除纹波电流钳位？   [/报价]

我想您是在参考 《EVM 用户指南》的第4.1.5节。 尽管我不是本指南的写作人员、但我具有与原始写作人员希望用户安装 C9以提高未安装并联 FET 的情况下的模拟调光性能的相同想法、原因有两个：

• 降低输出电流纹波
• 在低输出电流条件下、TPS92641以强制 CCM 模式工作。   即使 电感器电流为负、电流也需要有流动路径。 假设您未使用任何输出电容器(或不提供足够小的阻抗路径的小电容器)、LED 的二极管特性不会让负电流流动。 这将降低器件的调光线性度。  使用较大的电容器将有助于并因此提高调光性能/线性度。 希望我的解释能有所帮助。 您还可以参阅 数据表中的第7.3.4节"模拟调光和真正零操作"。

此致、

周老师