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[参考译文] UCC28061：MOSFET 故障

admin
Guru**** 2503165 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28061

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1305254/ucc28061-mosfet-failure

器件型号：UCC28061

您好！

我们在交错 PFC 设计中使用 UCC28061作为控制器。 我们将处理电路板关断/导通后的 MOSFET 故障。 关断后、我们检测到 PFC 电路中的 MOSFET 在截止的情况下会发生短路。 从示波器视图中可以看出、在关断条件下、瞬态漏极电流为10A、在栅极电压变为截止状态后、MOSFET 栅极端子上会发生振铃。 按照数据表中的建议、为了消除阻尼振铃、我们还为栅极驱动施加一个较小的串联电阻(10R)、但振铃继续出现、这会导致 MOSFET 短路、如下面的所示。

我们检测到 VATE 非自愿驱动、强制开启 MOSFET (不处于线性区域)

这种行为的原因可能是什么？

对于这种意外行为、您有什么解决方案吗？

黄色：漏极电压(100V/div)

蓝色：漏极电流(5V/div)

绿色：MOSFET 栅极电压(20V/div)

时间单位：40ns

 

 

 

 

 

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    我 正在审查您的查询、并会很快回复您。

    此致、

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    期待收到您的回复。

    此致

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    您是否看到下面的响应？

    此致、

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    布局更新目前不在计划之内。 因此、我们将 栅极电阻增加到20欧姆、以接受 MOSFET 上可能的高损耗。 栅极电阻器的值是否有任何约束？

    此致

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    您的查询正在审查中、我会很快回复您。

    此致、

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    TI__Guru**** 2503165 points
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    您好！

    您认为添加栅极驱动电阻器将增加 FET 的损耗是正确的。  这是由于 FET 栅极电容的充放电电流较小。  这将导致开关损耗增加。  不过、导通损耗应保持相对相同。  这是因为栅极电压将被驱动到相同的电平。   

    以下公式可用于估算 FET 导通和关断时间。  其中、Radded 是您从 GDA_B 添加到 FET 栅极的栅极驱动电阻。

    FET 导通驱动电流(Idrive1)。

    Idrive1 = VDGA_B (Radded +(GDA_B 导通电阻高电平))

    FET 关断灌电流(Idrive2)。

    Idrive2 =  VDGA_B (Radded +(GDA_B 导通电阻低电平))

    Dq 是米勒平坦区结束时的栅极电荷与 FET 的 Vgs (th)处的栅极电荷之间的差异。

    此信息可在 FET 数据表中找到。  

    FET 导通时间(dton)：

    DTON = DQ/Idrive1

    FET 关断(DTON)：

    DTON = DQ/Idrive2

    开关损耗的增加可能会导致需要 额外的 FET 冷却和散热。

     

    此致、