[参考译文] CSD18536KTT：RθJC 外壳顶部的定义在哪里

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1304700/csd18536ktt-where-is-definition-of-case-top-of-r-jc

器件型号：CSD18536KTT

大家好、

您能告诉我、RθJC 顶部外壳的定义是什么吗？它是散热焊盘(漏极)的中心吗？

如果是、则客户无法测量"外壳顶部"温度。客户能否将散热焊盘顶部测量为 Tc？

此致、

林市

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2383240 points

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您好、Hayashi-San：

谢谢咨询。数据表中指定的结至外壳热阻 RθJC 位于选项卡的底部、如您包含的较低图表中所示。 TI 不会使 RθJC 达到封装顶部的规格。根据之前的仿真、顶部塑料封装中心的 RθJC 大约为30°C/W。由于 FET 芯片直接安装在金属端子上、因此在顶部的金属端子上进行测量时应低得多。如果您有问题或需要其他信息、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2383240 points

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您好、John

谢谢你。让我确认一下。在下图中、红圈是定义为 RθJC 吗？此外、如果客户测量的温度为蓝色圆圈、则其主题指标将高于 RθJC、低于30C/W、正确吗？您是否指定了此热指标？

此致、

林市

0 admin 1 年多前

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您好、Hayashi：

我认为 RθJC (底部)测量是在封装底部标签的中心附近完成的、但我必须与同事确认、因为我没有参与实际测试。这将不得不等到下周,当他从假期回来。蓝色圆圈中的温度与封装底部红圈中的温度相差不应很大。选项卡是安装 FET 芯片的连续金属片。请参阅以下链接中的博客、详细了解 TI 如何测试我们的 FET 的热阻抗和规格。我将在收到更多信息后立即向您提供最新信息。

此致、

约翰

http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/10/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

0 admin 1 年多前

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您好、Hayashi：

执行以查看您的问题是否已得到解决。请告诉我。

谢谢。

约翰

0 admin 1 年多前

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您好、Johm：

ZhengTao Dai 说：
我必须与同事确认，因为我没有参与实际测试。这将不得不等到下周他从假期回来了[/报价]
我在等待您评论的更新。但在温度点上红圈和蓝圈是相似的就好了。

此致、

林市

0 admin 1 年多前

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您好、Hayashi：

很抱歉我的困惑。我和一个同事一起检查了一下,他不是很确定,但认为它是接近标签的中心。遗憾的是、完成实际测试的人不再在 TI 工作。

谢谢。

约翰

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[参考译文] CSD18536KTT：RθJC 外壳顶部的定义在哪里