[参考译文] UCC21732-Q1：仿真输出中的错误

Anand、您好！  

我认为原因可能是初级侧和次级侧的电源-它们好像是与一个1kV 的电源连接在一起；这也解释了当您对照初级侧 GND 测量栅极电压时栅极电压为-1kV 的原因。 此外、当 IN+导通时、更难判断栅极是否实际正在开关。  

您可以首先尝试将两个 GND 连接在一起、然后查看仿真是否正常运行；我还建议探测 OC 引脚、因为 OC 引脚上的过压会导致 nFLT 引脚变为低电平。  

希望这对您有所帮助！  

谢谢。  

薇薇安

感谢您提供宝贵的意见、Vivian、

我尝试移除 GND 和仿真值之间的1kV 电源。 我仍然看到相同的误差。 但是、当我删除 DESAT 电路时、电路会按预期工作。

尊敬的 Vivian：

我想我发现了这个问题、将 DESAT 电路连接到了 VDD 而不是 VDS。 执行更改后、电路会按预期工作。

我只是有一些疑问。

• 使用 DESAT CONFIG 的 DESAT 配置和 OC 之间的实际差异是什么？
• 使用双极电源时、是否可以移除米勒钳位 MOSFET？
• 在什么基础上选择 VOCDET 值？

谢谢。

Anand、您好！  

来回答您的问题-  

1.这两种方法都取决于 FET/IGBT 的 VDS/VCE 来检测过流和短路情况。 这两种方法的检测时间略有不同、所需的外部元件也不同。 通常、OC-AS DESAT 需要额外的电流来为消隐电容器充电、而 DESAT 本身的 DESAT 电流为500uA。 您可以根据自己的喜好选择这两种方法。  

2.米勒钳位是任一种推荐的方式，无论您是否使用了负偏置电源。 原因在于、即使有负偏置电源、电路板耗散与米勒电容相结合、也可能产生超过阈值电压的电压尖峰。 对于此智能隔离式栅极驱动器系列、如果您不想使用外部米勒钳位 FET、我们会提供内部米勒钳位版本(例如 UCC21710和 UCC21750)。  

OCDET 检测阈值是使用 此处提到的方法计算的、基本上要考虑各种外部组件(电阻器、二极管等)上的压降  

希望这对您有所帮助！  

谢谢。  

薇薇安

感谢 Vivian 的详细解释、

因为我的电路在有输入滤波器的情况下 OC 作为 DESAT TI 器件。 我想对 MOSFET 进行一些应力分析。 我还记得 PSpice 具有 烟雾分析 进行应力分析、但考虑是 用于 TI 的 PSpice 相同吗？

如果没有、是否有任何方法可以在 PSPICE for TI 中对 MOSFET 进行应力分析或最坏情况分析？

此外、我试图改变 VOCDET 可通过改变 DESAT 网络参数 、但在仿真中、  OC 引脚的上升时间不超过 0.7伏  

可以拥有吗？ VOCDET  物超所值 VOCTH ？

好的、我将尝试为此打开一个新案例。  

感谢您的支持 Vivian。

不客气、可随时使用！  
薇薇安

尊敬的 Vivian：

我计划推动 4个 MOSFET 栅极驱动器并联。 个人  门  单个 MOSFET 的灌电流和拉电流均使用电阻器。  但如何连接  CLMPE  引脚。 我是否可以将所有栅极信号短接并连接到米勒 MOSFET (如下图所示)？ 或任何其他方法来连接这些信号？

感谢您的反馈。 如果我使用单个米勒 MOSFET、会出现问题吗？ 我不太担心空间问题。

Anand、您好！  

您可以使用单个米勒钳位 FET 进行实验、但不建议这样做。 我建议为额外的米勒钳位 FET 留出空间、如果可能、不为原型板填充这些空间。   

如果电路板空间非常紧张、并且单个米勒钳位 FET 方法无效、则在更糟糕的情况下、您可以使用双极偏置电源并使 VEE 更大、以缓解任何误导通问题。  

希望这对您有所帮助！  

谢谢。  

薇薇安

尊敬的 Vivian：

我被认为是双极的 +15V 和 -8伏 。 我希望这应该足以让驱动器防止误导通？

正如您之前所说、 "我不建议将所有栅极连接在一起 - FET 的参数不匹配可能导致栅极发生不必要的振荡"  如果 我将所有栅极连接在一起、并 将 各个栅极电阻器放在 每个 MOSFET 附近、会怎样？ 会不会有意外的振铃？

Anand、您好！  

为了使米勒钳位有效、不应在米勒钳位路径上添加任何电阻。 米勒钳位 FET 的漏极应直接连接到功率 MOSFET 的栅极、以便在误导通时提供低阻抗路径。 即使您具有单独的栅极电阻器、它也不会分离米勒钳位路径上的栅极。  

+15V/-8V 应足以解决我认为的大多数虚假导通问题。  

谢谢！  

薇薇安

尊敬的 Vivian：

这些电阻(8.2 Ω)用于 拉电流/灌电流 功能不适用于 CLMPE 。 无论如何、米勒钳位路径不会有任何电阻器。 因此、这应该没问题、对吧？

Anand、您好！  

这就是我的意思、尽管您的每个功率 FET 都有来自 OUTH/OUTL 的单独电阻器、但如果您只是使用一个米勒钳位 FET、则会将所有栅极都连接到米勒钳位 FET 漏极。 因此、如果您仅使用一个米勒钳位 FET、单独的栅极电阻器不会使栅极分离。  

薇薇安

好的。 但是、在设计中所有4x MOSFET 都被视为单个功率 MOSFET。 因此、它们都将同步打开/关闭。 在这种情况下、为所有栅极4x 使用单个钳位 MOSFET 应该不是问题、对吧？

很抱歉、我不明白这一点。