[参考译文] BQ25756：bq25756的一些问题

您好、Statham：

1.这不会影响 MOSFET 驱动器的运行。 芯片仅在启动时使用 SRN 节点为驱动器供电。

2. BQ25756不支持 GaN FET。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、
E·加洛韦

您好、Statham：

因此、很难找到能够支持 BQ25756整个电压范围的 FET。 对于 USB SPR 合约等低电压、  AON6380也可以正常工作。

对于450KHz、我们还使用 SiR880BDP。

此致、
E·加洛韦

您好、Statham：

GaN 驱动器的泄漏很大程度上是 BQ25756栅极驱动器的泄漏。 栅极驱动器在高功率下无法实现高升压比。 例如、20V/5A 至40V/5A。

如果电源较低、或者如果应用主要是降压/降压/升压应用、则可以使用 GaN FET。

因此、我们不支持 BQ25756的 GaN FET。

此致、
E·加洛韦

您好、Statham：

我们尚未使用 BQ25756测试 LMG5200、因此无法保证这会起作用。  

CSD19531Q5A FET 将适用于此应用。

此致、
E·加洛韦