[参考译文] LM5155：LM5155DSSR 可以及#39；t load 55V/1.2A

Stefan、您好、

尝试过 RCS = 5m Ω、但具有相同的 OCP 电流。  是否应调整其他部分？

您好、Liang、

请确认我的假设：

-你在没有负载的情况下上电-这工作正常

-然后增加负载-然后它在350mA 负载时失败

您能否尝试在电流检测输入端测量信号？
注意：这是一个对非常敏感的信号、您需要具有很短的接地环路-请参阅"尖端和接地筒测量"

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/how-you-measure-your-ripple-can-make-you-or-break-you

您是否看到尖峰上升到过流水平？

此致、

 斯特凡

斯特凡

 

·海 当负载为0A 时、VCS 峰值为75mV VCS 曲线就是这样,当负载0.35A,我怎么能减小它?

您好、Liang、

看起来您在功率级上具有更多的负载。

这可能是由寄生效应造成的、例如二极管的结电容或损坏输出电容(请检查额定电压并将裕度高出40%以上)。

请注意：通常情况下、不建议使用并联二极管、因为具有最低正向电压的二极管将吸收所有电流。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

我已经找到了根 casue yestaday。 正如您提到的、 二极管的结电容使它无法连接重负载

太棒了

Stefan、您好、

是否可以降低开关频率以匹配更大的结电容？

您好、Liang、

这也应该会有所帮助、但更好的解决方案是检查结电容较小的二极管。

也可能是这两者的结合。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

降低 开关频率，将需要更大的输出电容，正确吗？

您好、Liang、

是的、如果输出电压纹波应保持恒定。

还可使用快速入门计算器检查您的设计、因为许多其他参数也需要调整、例如补偿。

此致、

 斯特凡

斯特凡

  

·海 在室温下、MOSFET 的 TC (__LW_AT__Q37）将达到140°C。 Vgs 和 Vds 具有高峰值电压。 如何降低 MOSFET 的 Tc ? 工作频率为220KHz (R471=100k Ω) VGS VDS MOSFET 产品说明书 e2e.ti.com/.../HGD155N15S_5F00_V1.0-datasheet_2D00_010521.pdf

您好、Liang、

感谢您的更新。
如果您在开关节点上看到很大的峰值、您可以考虑增加栅极电阻以减慢 FET 速度并减少过冲。
如果原理图仍然是最新的、则使用0欧姆。 您可以添加5欧姆或10欧姆电阻、然后查看开关节点行为是否有所改善。

此致、
尼克拉斯  

你好，Niklss

添加5Ohm，Vgs 峰值无法降低。  这导致了另一个问题：输出电压将 在几分钟内下降  

您好、Liang、

感谢您进行测量并报告结果。
如果电压在几分钟后下降、我会假设器件确实会由于触发过热而关闭。
如果栅极电阻器没有改善行为、我接下来会考虑另外两种方法。

第一种方法是更换 FET 本身。 数据表显示额定电压为150V。 为什么选择这样高的评级是有原因的吗？
在55V 的输出电压下、额定电压为80V 的 FET 可能更高效。 (如果需要额外的裕度、即使是100V 的额定值也是可以的)。

第二种方法是 在 FET 上实施缓冲器。 原理图已经显示了一个未组装的 RC (R522、C343)。
是否已将这两个元件用于到目前为止的任何测试、或者在没有缓冲电路的情况下进行的测量？

此致、
尼克拉斯

您好，Niklas

1. Vds 峰值太高、超过100V、然后我将100V FET 更改为150V 1。

2.是的,测量是在没有缓冲器的情况下进行的。 如果 R522、C343有建议值

您好、Liang、

感谢您的澄清。
然后在填充缓冲器的情况下进行测量。

要获得正确的缓冲器值、我推荐使用我们的功率级设计器工具、该工具附带一个用于 RC 缓冲器的小型指南和计算器。
https://www.ti.com/tool/POWERSTAGE-DESIGNER

如果您在此工具方面需要其他帮助、请告诉我。

此致、
尼克拉斯