[参考译文] TPS746-Q1：压降运行时 PMOS 晶体管的 Rdson

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器件型号：TPS746-Q1

数据表中注意到、器件输入到输出电阻是 PMOS 器件在线性区域工作时的 Rdson。这是什么阻力？我想计算在此模式下运行时的功率损耗、但在电气特性部分中看不到该信息。

谢谢！

杰西卡·里利

1 年多前

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Jessica：

LDO 的功率损耗简单：

Pd =(Vin - Vout)*(Iout + Ignd)

请参阅数据表中的图6-8了解 Ignd 与 Iout 之间的关系。在大多数情况下、Iout >> Ignd 并且这个值可以很好地近似为(Vin - Vout)* Iout。如果您担心 LDO 的功率损耗、最好使用此分析、而非尝试使用 RDS (on)对其进行评估。

如果您仍然对 RDS (ON)感兴趣、可以使用数据表来估算其用于具体用例的数值。您可以使用压降电压曲线(图6-4至6-6)来估算 RDS (on)。 Vdropout = RDS (on)* Iout。与所有 MOSFET 一样、RDS (on)是 Vgs 和温度的函数。对于低输入电压和输出电压、RDS (on)可高于具有高输入电压和输出电压的情况。

谢谢。

斯蒂芬

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