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[参考译文] TPS746-Q1:压降运行时 PMOS 晶体管的 Rdson

Guru**** 1930900 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1306382/tps746-q1-rdson-of-pmos-transistor-when-operating-in-dropout

器件型号:TPS746-Q1

数据表中注意到、器件输入到输出电阻是 PMOS 器件在线性区域工作时的 Rdson。  这是什么阻力?  我想计算在此模式下运行时的功率损耗、但在电气特性部分中看不到该信息。

谢谢!

杰西卡·里利

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jessica:

    LDO 的功率损耗简单:

    Pd =(Vin - Vout)*(Iout + Ignd)

    请参阅数据表中的图6-8了解 Ignd 与 Iout 之间的关系。  在大多数情况下、Iout >> Ignd 并且这个值可以很好地近似为(Vin - Vout)* Iout。  如果您担心 LDO 的功率损耗、最好使用此分析、而非尝试使用 RDS (on)对其进行评估。

    如果您仍然对 RDS (ON)感兴趣、可以使用数据表来估算其用于具体用例的数值。  您可以使用压降电压曲线(图6-4至6-6)来估算 RDS (on)。  Vdropout = RDS (on)* Iout。  与所有 MOSFET 一样、RDS (on)是 Vgs 和温度的函数。  对于低输入电压和输出电压、RDS (on)可高于具有高输入电压和输出电压的情况。  

    谢谢。

    斯蒂芬

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