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[参考译文] BQ25890:更低 VBAT 条件下的效率

Guru**** 1805680 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1298478/bq25890-efficiency-at-lower-vbat

器件型号:BQ25890

大家好、

数据表中的 VBAT 电压图8-1为3.8V、但客户想知道 VBAT = 2.8V、3.3V 左右时的效率。

您能否提供它、或者在 评估数据不存在时对其进行测量?

此致、

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    您好、Atshi:  

    我们可以帮助在所需的较低电池电压下进行一些效率测量。 您能帮助提供客户感兴趣的更具体的测试条件吗?  

    他们计划使用哪种 VBUS 电压工作? 他们想知道效率是多少预充电电流(针对2.8V 测试)和快速充电电流?  

    此致、

    加勒特  

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    Garrett-San、

    谢谢。

    它们的 VBUS 电压为5V。 其他条件与图8-1相同。

    请提供效率图。

    此致、

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    您好、Atshi:  

    我们目前没有可用于测试数据表中图8-1所示的所有条件的资源。 如果客户没有感兴趣的任何具体电流范围、我可以提供 VBUS = 5V、VBAT = 3.3V 且 ICHG 从500mA 到3A 的效率结果、500mA 步长。  

    对于 VBAT = 2.8V、我可以提供大约= 100mA、500mA、1A 的 IPRECHG 效率结果。  

    我将在本周结束前在该主题中提供结果。  

    此致、

    加勒特  

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    Garrett-San、

    谢谢。 是可以接受的。

    我将等待测量结果。

    谢谢。

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    您好、Atshi:  

    我已提供以下所需的效率结果。 请注意、效率会因 SYSMIN 设置而恶化、因为当 VBAT < V_SYSMIN 时、在用作 LDO 的 Q4 BATFET 上会有额外的功率损耗。  

    对于以下结果、我设置 SYSMIN = 3.0V  

    -VBAT = 3.3V

    -vbat = 2.8V  

    此致、

    加勒特