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器件型号：LM5148 在测试 SW 的 MOS 驱动器 Vgs 时、我们在上桥和下桥 MOS 驱动器中发现了轻微的短路现象。 同时、在测试您提供的演示板时、还会出现一些现象。 我们能解决它们吗？ 或者如何增加上桥和下桥 MOS 的死区时间？
在测试 SW 的 MOS 驱动器 Vgs 时、我们在上桥和下桥 MOS 驱动器中发现了轻微的短路现象。 同时、在测试您提供的演示板时、还会出现一些现象。 我们能解决它们吗？ 或者如何增加上桥和下桥 MOS 的死区时间？
这是我们的原理图， 我们希望稍微增大死区。 请提供一些建议。 谢谢！
