主题中讨论的其他器件: BQ40Z50
您好!
我有一个 采用 BQ40Z50-R2的电池。 4个 MOSFET 作为 DSG-FET 并联、其他 4个 MOSFET 作为 CHG-FET 并联。 但我发现 DSG-FET 的开启 太慢了( 米勒平台的值当它打开时约为3.2ms, 2.6V)它在电流通过时被烧断。
我已将 MOSFET 的驱动电阻 R11、R14 (默认值为5.1KΩ Ω)减小至51Ω、并将 PBI 的电容 C13 (默认值为2.2uF)增加至4.7uF。 但它似乎不起作用 ( 米勒平台在其导通时的值仍然为3ms、2.6V)。 我该如何调整以 使 上述情况更好。


