[参考译文] LM5176EVM-HP：LM5176EVM-HP

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器件型号：LM5176EVM-HP
主题中讨论的其他器件：CSD、 CSD17573Q5B

您好！

在 EVK 中、一侧有3个 TI MOSFET (2+1)、另一侧有3个 Infineon (2+1)未安装。

您能否解释一下为什么选择这样的器件-输出为12V@12A、以及为何不是标准的2+2配置。

升压晶体管器件很可能需要更大的电流、但我可能缺少数据表或手册中的内容。

提前感谢！

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2386050 points

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尊敬的 Dimitar：

感谢您的联系。您似乎在 EVM 的 BOM 中发现了一点故障。
并联连接的 MOSFET 数量实际上取决于您的应用以及不同模式下发生的电流。但为了促进并联 MOSFET 的电流共享效应、必须选择完全相同的并联 FET、以确保在不同的温度下实现类似的 RDS。

因此、请忽略 BOM、并假设 CSD 组件也将像原理图中一样写入 BOM 中。

谢谢、此致、
布赖恩

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2386050 points

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您好、Bryan、很抱歉我迟到了回复。在 EVK 上、我们在降压侧安装了3个 CSD18532、在升压侧安装了2个 CSD17573Q5B (我也检查了此电路板)。在 XLS 计算工具上、我们建议在降压侧使用2xCSD18563Q5A、在升压侧使用2xCSD16321Q5。我可以看到、EVK 上的 Rdson 几乎降低了2倍、EVK 上的 Rdson 几乎双倍连续 ID 和脉冲 IDM。 EVK 和 XLS 计算工具上的参数或多或少相同6-36 (55) V 输入/标称24V 和12V@12A 输出、工作温度应为0至40°C 作为最大值。高电流、11-12A 的电流大约为100ms、而大部分时间消耗的电流为3-4A。在这种情况下、我想可以通过添加更多的储液罐输出电容来优化晶体管和线圈尺寸/参数。您认为断开降压侧的第3个晶体管栅极并将其接地并使用指定的负载进行测试是个好主意吗？

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2386050 points

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尊敬的 Dimitar：

感谢您的回复。我假设您最终希望这样做来减少晶体管数量？
如果将降压侧第三个 MOSFET 的栅极(我假设您的意思是在高侧)接地、则在正常运行时、栅源极电压不应足够高而不能开启 FET、但我们当然仍然存在体二极管。

谢谢、此致、
布赖恩

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2386050 points

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是的 Bryan、主要是-有2个降压转换器和2个升压转换器。我可能会在下周做一次测试、然后重新得出测试结果。感谢您的回答！

电源管理（参考译文帖）

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