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器件型号：LM5113 主题中讨论的其他器件： LMG1205、
大家好！
我们在采用 EPC2022 GaN-FET 的三相逆变器设计中采用了三个 LM5113。 我们不对导通和关断使用任何栅极电阻器。
n´t、我们在 gatedriver 输入端没有任何滤波器元件。
每个栅极驱动器通过直接连接到 VDD 和 VSS 引脚的1uF 去耦。 根据实际数据表、还放置了带有20R 串联电阻器的外部自举二极管。
开始时的初始情况如下：三个栅极驱动器由相同的5V 电压轨供电。 即使是自举电容器也已充满电、因为两个 PWM 输入都被驱动为低电平、并且开关节点为高阻抗。 自举电容器会进行充电、因为我们在每个开关节点都有一个分压器用于进行测量。 因此、当提供 VDD 时、自举电容器在该路径上充电有足够的时间。
我们发现、当我们开始使用 PWM 脉冲(高侧导通、低侧关断)命令驱动器指令命令时、第一个高侧导通脉冲会以某种方式被驱动器忽略。 该行为以某种方式
因为自举电容器可能尚未充电。 因此第一个脉冲图形在输出端不进行切换。 到目前为止一切顺利。
通过第二个 PWM 脉冲模式(高侧关断、低侧导通)、开关节点被驱动为低电平、这很好。 那么一切都正常。
我想说的一点是、当我们首次开启低侧时、三个电源驱动器会从5V 电源轨汲取非常高的浪涌电流(3A、持续300ns)、即使它们通过1uF MLCC 去耦(请参阅随附的图片)。 似乎必须对一些电容充电。
因此、由于引导电容器已充电、EPC2022的总栅极电荷仅为大约13nC、高浪涌电流(就在第一个低侧导通模式处)来自何处或流向何处？
您会说这种行为是正常的吗？
LM5113同时导通低侧的电流消耗。 时间刻度500ns/DIV、垂直：1A/DIV。
提前感谢。
