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器件型号：LM5146 您好、TI 团队、
我们的一位客户报告称、 即使在空载条件下、LM5146和外部 MOSFET (Q19和 Q20)的温度也很高。 原理图如下所示：
PCBA 是 双层的。
在空载条件下、当输入电压高达25V 时、 温度变得非常高；而在2A 负载条件下、温度变得非常高、以至于您根本无法触摸到它。 您能帮助分析问题的原因吗？
谢谢。
此致
Lumina,
请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。
https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
MOSFET 会根据其功率耗散而变热。
高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。
请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。
这里有有助于低侧 FET 的 GND 过孔、但不支持高侧 FET 的 VIN 过孔。 此外、大 VIN 多边形散 热效果更好。 走近电路板边缘对于热辐射而言是不利的。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
