[参考译文] TPS549D22：Gerber 检查

萧志安 与 邓嘉丽 

谢谢、我在 BRD 文件中找到了 U3126。  一般来说布局比较好、但有几个地方可以改进：

1)缓冲器接地连接

缓冲器的目的是为50 -200MHz 频率范围内的高频信号提供受控接地阻抗。  电流接地连接具有很长的返回同步整流器源极的路径、这些整流器位于 TPS549D22下的外露焊盘上。  通过电容器和电阻器后、最近的接地过孔从输出电容器外面流出、这会增加很多环路电感并限制缓冲器的有效性。

我建议在 R6746电阻器下方覆铜、并通过多个过孔通向接地层以路由回到 R6746和 C7756下方、这样可以减少串联电感并提高缓冲器效率、而不是将缓冲器连接到输出接地。

加宽和填充从 C7756到 R6746的连接也会有所帮助。

2) 2)如果背面高限制允许将 C7748和 C7749移到 PCB 的背面、并直接放在 C7751和 C7750下方将有助于降低输入阻抗。

3)将 C7754 (2.2nF 至 GND)移到 VIN 引脚下方 PCB 的背面(过孔靠近 VIN 引脚)通常会使该电容器更有效。

这将提供一条互感较低的并联路径、以更好地抑制振铃并降低 MOSFET 应力。  使这些过孔保持足够远的间距、使接地层能够在过孔之间流动、以防止槽口和阻止热扩散。

4) 4)由于高侧 MOSFET 导通和关断期间 VIN 上的高 dV/dt 瞬态、我通常不愿意像这样将遥感差分对布线到 VIN 旁路电容器下方。  它可以使遥感暴露在高 dV/dT 电压转换中。  如果可能、我建议将该对布线到 VIN 过孔阵列的远端、以减少其与 VIN 上高 dV/dt 瞬变的潜在耦合。

萧志安 

看上去要好得多、我相信会为您提供更好的性能、尤其是高频和 MOSFET 应力特性。

从性能和制造可靠性的角度来看、这是一项小的改进。  R6746、缓冲器电阻器。

1) 1)新布局优于旧布局、但电阻器在回流焊过程中可能会受到偏差问题的影响、具体取决于不同的几何形状。  我建议在连接到 C7756的焊盘周围设置一个小的覆铜区、以便 R6746的两个焊盘都为覆铜。  这将确保阻焊层膨胀两个焊盘、使电阻器两端的液体焊料表面张力相等、以防止在将电阻器拉至垂直放在一个焊盘上时出现"石击"现象。  确保覆铜不会延伸到 C7756焊盘、这会使问题加剧到较小电容器、而这种情况更容易受到这种影响。

2) 2)我还建议将电阻器末端的两个过孔移至电阻器焊盘之间的区域、因为这将有助于减小电阻器产生的环路电感并提高缓冲器性能

我在创建图形图像来演示这一点时遇到问题。  我将在该问题得到解决后立即添加这张图。

萧志安 

正如所承诺的、此处的图形显示了缓冲器电阻器周围复印器区域的改进布局。

萧志安 

是的、看起来更好。