This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19538Q2:MOSFET 关断状态漏电流

Guru**** 2386050 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1292078/csd19538q2-off-state-leakage-current-of-mosfet

器件型号:CSD19538Q2
主题中讨论的其他器件:TINA-TI

您好、专家!

我注意到、漏源漏电流(在关断状态下)始终规定为<1uA @ 80Vds、0Vgs。 我猜这个1uA 规格只是一个测试标准、而不是实际的泄漏性能。 我的应用对泄漏电流敏感、并且 VDS 要低得多(<10V)。 我想知道更低 VDS 时的实际泄漏性能是多少? 我使用 TINA 进行了仿真、结果表明泄漏低于1nA。 我不确定 TINA 模型是否可以用于仿真关断状态下的泄漏电流?

如果泄漏较高、例如1uA@80Vds、 是否意味着实际泄漏电流会在 VDS 下降时线性下降? 假设泄漏电流可能降至125nA @ 10VDS 吗?

此外、是否可以通过施加负 VGS 来进一步减少泄漏?

谢谢!

约翰