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您好!
我们使用 BQ40z80EVM-020来执行学习周期。 遵循学习周期参考手册中的所有程序。 但在初始放电阶段、不会设置 IT 状态寄存器中的 VOK 位。 必须通过什么操作来设置该位状态? 所有其他值均已正确更新并显示。

此外、建议在初始放电条件下设置 CHG_FET_TOGGLE 和 DSG_FET_TOGGLE。 请您对此提供解释。
谢谢
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您好!
我们使用 BQ40z80EVM-020来执行学习周期。 遵循学习周期参考手册中的所有程序。 但在初始放电阶段、不会设置 IT 状态寄存器中的 VOK 位。 必须通过什么操作来设置该位状态? 所有其他值均已正确更新并显示。

此外、建议在初始放电条件下设置 CHG_FET_TOGGLE 和 DSG_FET_TOGGLE。 请您对此提供解释。
谢谢
尊敬的 Wyatt:
1) 1)我们使用以下公式来计算每 mAh 的平衡时间。

2)替换值如下所述:
| VCELL | 3.6伏 |
| RVCx | 1000 Ω |
| RCB | 0.07 Ω |
| Rext | 10 Ω |
| 占空比 | 54.40% |
| BAL 时间 | 18.20036 s/mAh |
如前所述、RCB 的值必须为200欧姆、 但我们将其替换为0.07欧姆、因为我们用于电池平衡的外部 FET 的 RDS 值为0.070欧姆(如果取此值有任何错误、请告知我们。)
[另外、由于我们使用的换算系数为3、因此我们在应用中已给出每 mAh Bal Time 的值为54 ]
您能否帮助我们了解基于这些值进行的计算是否正确、或者使用上述公式进行计算时是否存在一些错误?
如果有任何错误、可以指出我们在计算中出了哪里的问题。
谢谢
安西
Ancy、您好!
请遵循建议的值来计算电芯平衡时间、R (CB)仅适用于内部 FET 且固定为200欧姆、R (EXT)参数考虑了所有外部电阻、包括 RDS (on)。
VCELL =平均电芯电压(例如、对于大多数化学物质为3700mV)
RVCx =与 VCx 输入串联的电阻器值(例如、1 kΩ、基于参考原理图)
RCB =电芯平衡 FET Rdson、为200 Ω(始终为200欧姆)
Rext = 10 Ω(具体针对您的情况)
DUTY =电芯平衡占空比、通常为54.4%。
看起来您通过将它乘以比例因子来正确地调节了比例、因为平衡每 mAh 花费的时间较长。
此致、
怀亚特·凯勒