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[参考译文] UC3525A:使用 UC3525推挽式转换器并采用全桥整流输出时遇到一些问题

Guru**** 1101410 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1287259/uc3525a-when-i-used-uc3525-as-a-push-pull-converter-and-adopted-full-bridge-rectification-output-i-encountered-some-problems

器件型号:UC3525A

输入:直流12V (12V7AH 电池)

输出:直流110V

全桥场效应晶体管:IRF3205

变压器匝数比:NP:NS (7:80)

PWM 频率:15kHz

电感(L3):1mH

电容(C58):68uF/400V

用于全桥整流的推挽式转换器的原理图如下

一些问题如下:

个人了解误差放大器有两个用途

1.运算放大器

所以 uo=uo=VR*(1+R3/R2)+(VR-Vo)*R3/R1

2.comparator

R3=100K,当推挽式转换器的输出电压由 R1和 R2电阻器分压并且大于 VR 时、误差放大器输出较低、而 UC3525的 PWM 占空比为零

通过测试、我们发现第一类推挽式转换器的输出电压在空载时满足要求、但在带载时、Vds 波形不好、效率低

相反、根据第二种连接方法(比较器)、其负载 VDS 波形良好且高效

UC3525芯片的2个引脚(EA+)上的电压可被取为5.1V 基准电压的大约一半吗?

引脚2上的电压2.5V 和5.1V 对整个转换器有何影响?

英语能力有限、请原谅所有错误

我的最终目标是确定误差放大器是用作运算放大器还是用作比较器。 误差放大器的两个引脚上的不同基准电压对输出电压有何影响?

谢谢!

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    您好!

    这些是放大器。 在使用接近开环时、它们的行为与电压比较器类似、但其比较速度不如真正的电压比较器快。 在您的情况下、R3 = 100k、行为更类似于比较器。  

    在将其设计为放大器时、您需要使用具有积分效应的补偿(反馈路径以及 R3)进行设计-不具有积分效应、并且所选的 R3要使其闭环增益较小、 然后放大器输出与输入成比例、这样您就只能得到电路中存在误差设计的输出。

    那么在第一种类型中、您需要引入积分效应。 您可以按2类或3类环路补偿搜索互联网、以帮助您继续前进。

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    感谢  您的 详细 答复

    当我在 R3两端并联连接一个电容器(100pF)时、推挽式转换器可以承载负载(输出电压为75V、负载电阻为50欧姆)。 运行5分钟后、四个 MOS 管的散热器温度为50摄氏度。 但当我连接电感负载时、Vds 波形混乱、效率低。 四个 MOS 管将在两分钟内烧坏。 当推挽式转换器输出并联二极管(10A10)时、我认为整流桥次级侧的电流方向会影响初级侧的 Vds 波形? 那么我想问一下次级侧的电压和电流是否对初级侧驱动有影响、对初级侧 MOS 晶体管 VDS 有何影响?

    谢谢

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    UC3525引脚2 (EA+)的电压范围是多少? 在实际产品中、为什么我们在 UC3525的16引脚(VREF)上以相同的电阻值将两个电阻器的电压分频、从而几乎总是能够获得2.55V 的电压?

    请问 EA+的电压是否不能超过2.55V、或者是否对整个推挽式转换器产生负面影响?

    Vea+=2.55V

    Vea+=5.1V

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    同一电路仅用2 12V (12V7AH)替代推挽式转换器的电池、变压器匝数比更改为3:52、推挽式转换器的输出 Vo 目标值为350V。 VDS 波形和负载(电阻200欧姆)会发生变化。 推挽式转换器的总体效率低、散热器温度达到90摄氏度。 整流桥的二极管会击穿(MUR460)、只改变输入电压、采用推挽式变压器和输出电压时、为什么效率低、二极管击穿均匀?

    图1中的 VDS 波形显示、推挽式转换器的效率高达85%以上、

    图2中的 VDS 波形显示、推挽式转换器的效率低于

    哪些因素会导致不同的 VDS 波形? 改进的方法有哪些?

    非常感谢

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    您好!

    关于这些问题:

    ' UC3525引脚2 (EA+)的电压范围是多少? 为什么在实际产品中、UC3525的16引脚(VREF)上用两个电阻器的电压分压得到2.55V?"

    这是一种将 EA+从 VREF = 5.1V 中获得的便捷方法、而且宜将 EA+置于 VREF 的一半、因为放大器内部以5.1V 进行偏置

    "我可以问问、EA+的电压是否不能超过2.55V、或者它是否对整个推挽式转换器产生了负面影响?"

    EA+可略微高于或低于2.55V、但内部放大器偏置了5.1V、因此最好将 EA+置于2.55V 的中心。  

    我将分别回答其他问题。  

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    您好!

    在以下队列中:

    "我想整流桥次级侧的电流方向影响了初级侧的 Vds 波形吗?"

    一种可能是负载越重、导致运行不稳定。 另一个是负载电流较重、导致漏电尖峰较高、从而损坏 MOSFET。 通常、您需要检查 MOSFET 的 VDS 波形、以确保电压尖峰不超过 MOSFET VDS 额定值。 此外、还需要测量波特图以确保足够的增益裕度和相位裕度。  

    "那么我想问问次级侧的电压和电流是否对初级侧驱动有影响、对初级侧 MOS 晶体管 VDS 有什么影响呢?"

    是、如上所述。

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    您好!

    低于 MOSFET VDS 波形? 这些尖峰是否超过 MOSFET VDS 额定值?

    下面的波形是什么? 您能否标记每个波形?

    您的变压器规格是什么?

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     尖峰 接近 MOSFET VDS 额定值、

    波形顺序:

    Q10:VDS、VGS

    Q13:VDS、VGS

    两个 MOS 晶体管驱动相位差为180度的波形

    变压器匝数比:3:50(NP:NS)

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    谢谢你。 我了解

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    谢谢你。 我了解

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    您好!

    对于波形、它们的运行条件是什么:Vin、Vout、Iout?

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    输入电压:+24V (两节电池)

    输出电压:DC310V

    输出电流:0.7A

    更换新变压器后、推挽式转换器的效率提高到90%以上、VDS 波形也有很大改善。 您能否告知变压器的哪些参数会影响 VDS 波形? 设计推挽式变压器时、应注意哪些情况?

    请问是否有推挽式转换器的示例?  在哪里可以将一些缓冲器电路添加到推挽式转换器?  如何能够刚果民盟(包括 RC、CD、RD 等) 缓冲器电路确保电阻不会烧坏?

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    改变输出电压(从75V 到200V、也就是说、只改变 UC3525采样电阻器的电阻值)会导致 MOS 晶体管完全不同的 VDS 波形? 为什么会这样呢?

    图1 (__LW_AT__输出电压75V VGS VDS 波形)

    图2(输出电压 200V VGS VDS 波形)

    两者效率均在90 μ 以上 μ A

    两者的效率均超过90%、

    这两者之间的 VDS 波形为何不同? 影响 VDS 波形的是输出电压吗?

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    您好!

    是的、次级侧状态会影响初级侧以及变压器。 我想、您可以通过添加变压器次级侧绕组波形的波形或者 D9和 D22的波形、找到具有特殊形状的波形。

    我将研究是否存在有助于缓冲器设计的参考、

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    非常感谢您的帮助

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    您好!

    推挽式转换器中的缓冲器设计。

    有很多在互联网上,例如,下面一些. 您可以在上搜索、获取"推挽式转换器缓冲器设计"

    CCFL 推挽缓冲电路| Analog Devices

    用于推挽式 DC/DC 转换器的 RC 缓冲器|电子论坛(电路、项目和微控制器)(electro-tech-online.com)

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     非常感谢