[参考译文] CSD88539ND：适用于升压转换器应用的双路 MOSFET

Julien、您好！

感谢您关注 TI FET。 升压转换器是非同步的。 是这样吗？ CSD88539ND 要求 VGS = 6V 的最小栅极驱动电压。 在这种情况下会测试器件并保证导通电阻。 我们不建议在5V 栅极驱动下运行、因为这样会造成性能不好或不一致。 如数据表第1页的 RDS (ON)与 VGS 关系图所示、在 VGS = 5V 时、导通电阻位于曲线中非常陡峭的部分。 阈值电压的微小变化会导致导通电阻呈指数增加。 除非您能够提供至少6V 的栅极驱动、否则我不推荐您在应用中使用此器件。 您可以考虑使用2个分立式器件、例如 CSD18543Q3A、其 RDS (ON)额定值低至 VGS = 4.5V、并使用5V 栅极驱动器。

我无法告诉您、信号之间是否会有任何干扰、因为我们尚未在此类应用中测试器件。 由于两个裸片都在同一引线框上的同一封装内非常靠近、因此可能会发生一些相互作用。 开关频率相差很远、但可能存在串扰、升压转换器和电机驱动器的噪声特性中可能存在拍频。 我们开发了 FET 选择工具、用于估算包括非同步升压转换器在内的各种拓扑的 FET 中的功率损耗。 但是、它不包括双器件、因为它假定升压转换器中有一个单 FET。 请单击以下链接查看应用手册。 其中包含 TI 所有基于网络的 MOSFET 技术信息的链接、这些技术信息包括 FET 选择工具。

https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf

请告诉我我还能做些什么来帮助您。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

非常感谢您的详细答复。 它是一个非同步升压转换器。 事实上、VGS 在该 IC 上应该优于6V 以确保低导通电阻、但我们通过5V PWM VGS1和3、7V (电池级电压) PWM VGS2信号来控制它们。 也许有适用于这些低 VGS 电压的现有双路 MOSFET 基准？

我们对使用双 MOSFET 的主要关注点是节省 PCB 布局的空间、因为我们的数量非常有限。 我将查看您的链接、了解 MOSFET 选择和估算功率损耗。

此致、

朱利安·加尔蒂埃

尊敬的 Julien：

我们可选择的双路 FET 非常有限、而且我们实际上没有合适的双路 FET 解决方案。 我使用了非同步升压转换器 FET 选择工具来运行一些 FET 损耗估算。 FET 中的均方根电流约为14.5A - 14.8A (取决于二极管压降)。 对于 CSD88539ND、假设 VGS = 6V、则在4A 和3Vin 至12Vo 条件下的导通损耗约为7.4W、这远比 SOIC 封装能够安全耗散的功率大(最大~2W)。 这不包括开关损耗或用于驱动电机的另一个 FET 中的损耗。 您需要使用导通电阻低得多的 FET、以保持合理的功率损耗。 我推荐将采用3.3x3.3mm SON 封装的 CSD17577Q3A 用于升压转换器。 估算的总 FET 损耗约为2W、在3.3x3.3mm SON 封装的能力范围内。 该 FET 也可以用于电机驱动器、但我对该应用的了解不够。 请告诉我我还能做些什么来帮助您。

谢谢。

约翰

尊敬的 Julien：

跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

谢谢。

约翰

您好、John：

我 为这两者选择了 CSD17308Q3 MOSFET、该器件对于 PWM 电机控制效果很好、但对于升压转换器、我仍在研究升压转换器过载的奇怪行为。

此致、

朱利安

尊敬的 Julien：

您能否提供有关升压转换器奇怪行为的更多详细信息？ 原理图和波形以及行为描述将会很有帮助。

谢谢。

约翰