[参考译文] TPS61041-Q1：暗电流和吸收电流设计

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281405/tps61041-q1-design-for-dark-current-and-cosumption-current

器件型号：TPS61041-Q1

您好、TI 团队、

I 为 TPS61041-Q1设计了暗电流和吸收电流,但数据表中没有足够的计算信息。

那么，我可以就目前的三分制提出任何问题吗？

问题1.

我知道上述 Iq (工作静态电流)不包含开关 FET Ciss 的充电电流、IC 中仅包含逻辑消耗电流、对吗？

如果我的理解是正确的、我想知道开关 FET 在开关频率下流向 Ciss 的充电电流、以及黑暗电流和消耗电流设计的误差。

问题2.

关于问题1、我想谈室温下的 Iq、包括暗电流设计误差。

此致、

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380450 points

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尊敬的 Keisuke：

问题1：正确、Iq 是指在没有开关时 IC 中的逻辑消耗电流(因此 Ciss 没有充电电流)。

关于问题2：室温下的 IQ 典型值为28uA、如数据表所示。在整个温度范围内的最大 Iq 为50 μ A。您可以使用此数据进行误差估算吗？

抱歉、我不熟悉"暗电流和消耗电流"、您能否更详细地评论一下他们指的是什么？还是只提供一个简单的原理图概念、来展示 Ciss 的充电电流如何影响精度？

此致

雷

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380450 points

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尊敬的 Lei：

感谢您的答复。

我将在汽车应用中使用 TPS61041-Q1。

当车辆停车时、TPS61041-Q1应保持超低输出电流。

另一方面、我们应该减少停车的暗电流、所以我需要详细估计 IC 消耗

我认为充电电流对 Ciss 的影响相对于暗流的目标值来说很大。

因此、我希望估算 Ciss 充电电流和 IQ (逻辑消耗电流)、包括室温下的误差。

此致

基介

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380450 points

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尊敬的 Keisuke：

感谢您提供详细信息。

我将在明天进一步检查并获得反馈。

此致

雷

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380450 points

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尊敬的 Keisuke：

以下是一些补充材料供您参考：

我检查了大约50万个单位的一批数据、室温下的典型 Iq (无开关)为28uA +/- 5uA。

当器件开关时、情况更为复杂。除了充电电流之外、存在消耗电流和负载电流的功能块、全部来自总输入电流。因此、我认为最好根据器件进行开关时的工作条件(Vin、Vout、Iout、效率)来估算总输入电流。

此致

雷

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