[参考译文] LM25145：LM25145RGYR：过流限制使用低侧 MOSFET 的 RDS (on)时与输入电压有关

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281782/lm25145-lm25145rgyr-overcurrent-limit-dependence-on-input-voltage-using-rds-on-of-low-side-mosfet

您好、TI 团队、

我当前正在对 LM25145RGYR (LM5145RGYT)设计进行启动。
参数：UIN=16-31V；UOUT=12A、Iout<=12A

除了过流限制外、它目前运行得很好。
电流限制的范围太宽@不同的输入电压。
低侧 MOSFET 的 RDS (on)用于限制输出电流。

R14= Rilim、测量@室温、缓慢增加负载
R14：270R => 11.27A OCP @16.01V 输入
R14：270R => 12.63A OCP @24.02V 输入
R14：270R => 13.23A OCP @31.01V 输入

将 R14更改为300R：
R14：300R => 11.92A @16.01V 输入
R14：300R => 13.61A @24.02V 输入
R14：300R => 14.12A @31.01V 输入

对我们来说、这些限值的差异太大。 您能否帮助提高过流限制、
从而减少对输入电压的依赖性？

附录为原理图的相关部分：

e2e.ti.com/.../DMS_2D00_LS09_5F00_A101_5F00_Power_5F00_Board_5F00_EVT_5F00_Schematic_5F00_0.04_5F00_20230809_5F00_TI_5F00_Check.pdf

和信号 VR_P12V_OUT_ILIM @ R16 (GND @ C11)和信号 VR_P12V_OUT_LO_FET @ R16的测量

uin=16.01V、Iout=11.00A =>图片 tek00113.png：

uin=16.01V、Iout=11.49A => Picture tek00114.png：

uin=24.01V、Iout=11.00A => Picture tek00106.png：

uin=24.01V、Iout=11.49A =>图片 tek00107.png：

uin=24.01V、Iout=12.90A =>图片 tek00108.png：

uin=31.01V、Iout=11.00A =>图片 tek00101.png：

uin=31.01V、Iout=11.49A => Picture tek00110.png：

uin=31.01V、Iout=12.90A =>图片 tek00111.png：

uin=31.01V、Iout=13.50A => Picture tek00112.png：

此致、
B·格伦瓦尔德