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Other Parts Discussed in Thread: CSD16415Q5
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1282685/csd16415q5-how-to-calculate-the-power-loss-of-a-csd16415q5
如何计算 CSD16415Q5的功率损耗？我可以通过以下公式计算 TJ 的值吗？
您好、Hanbo、
感谢您关注 TI FET。 FET 中的功率损耗取决于应用和运行条件。 CSD16415Q5针对热插拔和 OR'ing 应用进行了优化、大部分功率损耗是由于导通损耗 I² x RDS (on)造成的。 如果您知道流经 FET 的直流或均方根电流、则可以使用此电流来计算导通损耗。 需要记住的一点是、导通电阻 RDS (on)随 VGS 和温度的变化而变化。 在数据表中、它在 VGS = 4.5V & 10V 时额定。 我使用数据表中指定的最大值、然后使用图8来估算温度升高导致的增加。 例如、VGS = 10V 时、25°下的最大 RDS (on)= 1.15mΩ。 如果运行温度为100°C、则图8中的乘法器为1.25：在 T = 100°C 时的最大 RDS (ON)为1.15mΩ x 1.25 = 1.44mΩ。 您可以使用帖子中的公式来估算结温上升、但数据表中指定的 RθJA 值基于最小和1in² μ m 铜焊盘尺寸。 您的实际结果将取决于 PCB 布局和层叠、实际上可能优于数据表中的值。 有关 TI 如何测试我们的 FET 的热阻规格的更多信息、请参阅以下链接。
http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/10/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance
如果您有任何问题、请告诉我。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
