[参考译文] TPSM82821：静态电流

您好！

感谢您与我们联系。

我需要一些时间来更详细地了解这一点。

如果您可以、我会最迟在下周早些时候与您联系。

此致、
路易

您好！

对延迟回复深表歉意。

1. 这两个器件是否都出现了问题？
   
   该报告指出负载处的所有状态都处于深度睡眠状态。
   理想情况下、我想知道该问题是否在完全受控的环境中仍然发生、即实际没有负载并且输入是工作台电源时。 或者、如果您使用的是 TPSM82821EVM、那么该板上也会出现问题。
   
   
2. 我在内部进行了检查、您在压降模式下看到的测得的增加的静态电流属于正常行为。
   数据表中提供的10uA Iq 适用于标准降压 VIN- VOUT 关系。 100%占空比模式被认为是一种功能、而不是标准运行方式。
   
   100%占空比模式对您的应用有多重要？

此致、
路易

尊敬的 Louis：

1.是的,这会在两种设备上发生(我们已经准备好300个原型,所以我可以用更多的测试)。
   我没有尝试隔离这个问题、但我想我可以在输出上叠加额外的电容和电阻、直到它变得不稳定。  
   我不认为有一个适用于 TPSM828214A (固定3.3V)的 EVM、并且我可以想象、由于内部电阻分压器和前馈电容器、这产生了影响环路稳定性的差异。  

2.明白
  由于这是该器件的预期工作模式、请对其进行相应鉴定并将压降模式下的电流消耗添加到器件规格中。 就像现在一样、这明显会误导/误导开发者、因为 IQ 清楚地标记为"EN =高电平、无负载、器件未开关"-所有条件都适用于压降模式。  
  从技术上讲、我知道您可能正在使用初级 NMOS 来实现低压降模式、但目前尚不清楚内部去回声脉冲消耗多少电流、或者您是否可能使用次级 PMOS 路径来实现低压降运行。

此致  
伯恩哈德

Bernhard、您好！

请尝试隔离 模块、以检查在负载处是否有间歇性消耗此30mA 电流的情况、即使负载被视为处于"深度睡眠"状态也是如此。

正确、没有 用于固定输出电压选项的直接 EVM、但您应该能够将 TPSM82821EVM-080上的 TPSM8282x 替换 为有问题的原型板之一的 TPSM828214。 然后、在下面的 EVM 原理图中 、移除 R2和 C3、短接 R1、并根据您的用例调整输入/输出 BOM。

关于2.、我完全理解您的担忧。 我将在内部转发此内容。

此致、
路易

尊敬的 Louis：

测量负载时、电流消耗在大约80µA 时是恒定的、但我知道、这无法重现。   

我将尝试使用我们当前的原型来进一步隔离这个问题。 如果我能轻松完成这项工作、我会购买一个 EVM 并尝试在那里进行重放、但可能需要这样做。  

2)请这样做。 这花费了我们的客户~50k€在原型和我很多头痛

此致
伯恩哈德