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[参考译文] TPS38700：定序开始

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS38700
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1279529/tps38700-sequencing-start

器件型号：TPS38700

您好！

我在尝试让 TPS38700运行、但到目前为止、我们发现序列输出只保持低电平、/RST 输出也保持低电平。 我们的开发板使用了某些器件、因此想知道是否有任何明显的错误。

我知道开发板使用的是汽车-Q1器件、而板上的器件包含消费类器件(TPS38700C04NRGER、即-Q1器件)。 根据数据表检查、唯一的区别似乎是在-Q1器件中将 PEC 初始化为0x00、并在消费类器件中将 PEC 初始化为0xFF。 寄存器编程中是否需要进行任何其他更改？

我还从数据表中注意到、高输入 ON /SLEEP 和 ACT 信号的电压范围最高只能到 VDD 0.2V。 目前、这些信号直接来自同一电源上的 MCU、因此这些信号将非常接近 VDD。 如果这两个电平都处于 VDD、TPS38700不会将此电平识别为高电平、并因此在两者都驱动为高电平时阻止时序启动？

请将其复制到下方的原理图碎片中。

谢谢。

戈登。

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gordon、

    VBBAT 应连接到电源。 驱动睡眠并工作至高电平应该不会出现问题。 您是否可以将 VBBAt 连接到3.3V 并再次进行测试？

    此致！

    沃尔特

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Walter、

    感谢您的答复。 我已尝试按照您的建议将 VBBAT 连接到3V3 (短接 VDD 引脚17和 VBBAT 引脚18)、但遗憾的是、它没有区别。

    我们的调试器输出显示如下：

    I (4009) PwrSeq：MODE_REV 0xa1修订版本0xF3
    I (4019) PwrSeq：INT_SRC1 0x4 INT_SRC2 0x23 INT_VENDOOR 0xff CTL_STAT 0xff
    I (4019) PwrSeq：WDT_STAT 0 TEST_STAT 0x6e Last_RST 0xff
    I (4029) PwrSeq：==== ===== ===== ===== ===== =
    I (4039) PwrSeq：检查 PEC
    I (4039) PwrSeq：CTL_2设置= 0xc3、PEC 位= 0x3
    I (4039) PwrSeq：关闭 PEC
    I (4049) PwrSeq：PEC 写入= 0x4之前的 INT_SRC1状态
    I (4049) PCBI2C：计算3字节数据的 PEC CRC8
    I (4059) PCBI2C：3字节数据的 PEC = 0x25
    I (4069) PwrSeq：PEC 写入= 0x4后的 INT_SRC1状态
    I (4069) PwrSeq：CTL_2立即设置= 0
    I (4079) PwrSeq：写入 I2C 3个字节->寄存器0x28
    I (4079) PwrSeq：已验证配置数据集0
    I (4089) PwrSeq：写入 I2C 3个字节->寄存器0x30
    I (4089) PwrSeq：已验证配置数据集1
    I (4099) PwrSeq：写入 I2C 8个字节->寄存器0x33
    I (4099) PwrSeq：已验证配置数据集2
    I (4109) PwrSeq：写入 I2C 4字节->寄存器0x3b
    I (4109) PwrSeq：已验证配置数据集3
    I (4119) PwrSeq：写入 I2C 1个字节->寄存器0x3f
    I (4119) PwrSeq：已验证配置数据集4
    I (4129) PwrSeq：写入 I2C 8个字节->寄存器0x53
    I (4129) PwrSeq：已验证配置数据集5
    I (4139) PwrSeq：写入 I2C 4字节->寄存器0x5b
    I (4139) PwrSeq：已验证配置数据集6
    I (4149) PwrSeq：PwrSeq 初始化成功
    I (4149)脉冲发生器：PwrSeq 已初始化
    I (4159) PwrSeq：打开电源
    I (4159) PwrSeq：启动上电序列
    E (5179) PwrSeq：上电在1010ms 后超时
    E (5179)脉冲发生器：打开 FPGA/模拟电源时出错      

    前3行显示了以下寄存器值：

    INT_SRC1 = 0x04

    INT_SRC2 = 0x23

    TEST_STAT = 0x6e

    这似乎表明启动时出现多个故障。

    F_EN 位(在 INT_SRC1中)为高电平、指示启用输出引脚故障(即使 EM_PD 以外的输出与所有其他元件完全隔离时也会发生此情况)

    F_RT_CRC (在 INT_SRC2中)为高电平、指示 CRC 故障

    BIST_VM (在 TEST_STAT 中)为高电平、指示易失性存储器失败

    BIST_NVM (在 TEST_STAT 中)为高电平、指示非易失性存储器失败

    BIST_L (在 TEST_STAT 中)为高电平、指示逻辑测试失败

    您能建议哪些因素可能导致我们出现这些错误、以及我们可以采取哪些措施来解决此问题吗？

    谢谢。

    戈登。

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gordon、

    感谢您的耐心、我目前正在与我的团队的其他成员取得联系、以解决此问题。  

    谢谢。

    沃尔特

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gordon、

    Q1和非 Q1的 PEC 均 初始化为0x00。 这可能是导致错误的原因。 修正了消费类器件数据表中的一个拼写错误。

    此致！

    沃尔特

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    在 CLK32输出被禁用后、器件现在将运行、如下另一个问题所示：

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1280672/tps38700-what-causes-f_en-error

    请注意、之前关于将 VBBAT 连接到3V3的建议没有什么区别。 我在板上进行了这项更改、但没有任何帮助。 实际上、现在我们已禁用 CLK32输出、排序在其他没有将 VBBAT 连接到3V3的电路板上运行。