[参考译文] CSD19538Q2：开关时在低电流下具有高功耗

您好，Keshav，

感谢您关注 TI FET。 在您的测试条件下、CSD19538Q2好像变得很热。 我将需要其他信息来尝试帮助您解决此问题。 如何在何处进行温度测量？ 板上是否有靠近 FET 的其他器件可能会使其发热？ 是否有任何方法可以捕获漏极电流波形？ 从 VBUS 到 GND 是否有足够的电容？ FET 主要有两个功率损耗分量：由于流经 FET 的 rms 电流而产生的导通损耗和 FET 开启和关闭时的开关损耗。 这也存在栅极驱动损耗、但这将在栅极驱动器 IC 和栅极电阻器中耗散。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

我正在使用 FLIR 热像仪、但我旁边确实有板载器件来执行温度测量。

反激式二极管(RB068MM100)和16V 齐纳二极管靠近 FET、正在传导线圈的衰减电流并使磁场更快地崩溃。 我将尝试绕过这个齐纳二极管、因为它可能是另一个主要的热源。

我有一个10uF 100V 陶瓷电容器、直接在 VBUS 上。 但过流保护 IC (MAX17527)前、有一个额外的47uF 电解电容器和另一个10uF 陶瓷电容器。

以下是 FET 的本地布局的快照：

遗憾的是、我无法轻松地在漏极和节点之间插入分流器、线圈和反激式电路在此处相连。 或 FET 的源极接地。

感谢您的帮助、我将在绕过齐纳二极管后根据我的发现编辑此帖子。

编辑：

在绕过齐纳二极管后、电路的运行温度要低得多。 齐纳二极管可能会变热、而由于它靠近场效应、看起来 FET 会变热。