• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 8 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 289 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25570：寄存器：正在将存储元件连接到 VBAT

admin
Guru**** 2397255 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25504, BQ25570, BQ25505

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1275854/bq25570-reg-connecting-storage-element-to-vbat

器件型号：BQ25570
主题中讨论的其他器件： BQ25505、BQ25504

您好！

我正在着手创建一个标签、该标签可以使用射频信号来收集能量、并使用微控制器执行基本操作。 在我的电路中、我有一个10级倍压电路、并将最终电压存储在一个电容器上。

我 想将倍压电路的输出连接到 BQ25570的 VIN 引脚、并将其用作升压充电器、以提供 MCU 所需的最低电压。

这里的问题是、为了存储升压充电器的输出电压、我应该在哪里连接最终电容器？ 另外、是否可以不将任何存储元件连接到 VBAT 上？

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yoganand：

    储能元件、在本例中、您的最终电容器、应该被连接至 VBAT 引脚。 用于存储的电容器应至少超过100uF。 您可以将系统作为降压负载连接到 LBUCK 或直接连接到 VSTOR。 存储元件将充电至 VBAT_OV、然后放电至 VSTOR 处的系统负载。

    此致、

    胡安·奥斯皮纳

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢您的答复。 只是为了说明几个连接、最终的储能电容器应该连接到 VBAT、而 VSTOR 应该连接到微控制器的 VIN？  

    首先获得充电的是 VSTOR 还是 VBAT？ 据我了解、电路退出冷启动至少需要600mV、此时 VSTOR 将充电至1.8V、然后即使在入射功率较低的情况下也会继续为储能元件充电。  一旦存储元件达到 VBAT_OV、它就会在 VSTOR 处向系统负载放电。 请确认这一点、因为它将帮助我设计电路。  

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yoganand：

    Unknown 说：
    最终存储电容器应连接到 VBAT，而 VSTOR 应连接到微控制器的 VIN？  [/报价]

    正确。 您的系统负载应 从 VSTOR 或 VOUT 获得电力(VOUT 降压转换器从 VSTOR 内部获得电力)。 VBAT 应该与你们的储能连接起来。

    Unknown 说：
    首先收取费用的是 VSTOR 还是 VBAT？

    VSTOR 首先被充电、因为电力从输入源流动、经过电感器进入 LBOOST、通过高侧升压 FET 进入 VSTOR。 电流从此处流过 VSTOR 和 VBAT 之间的 FET、从而为 VBAT 充电。 在这种情况下、VSTOR 会首先充电、因为它必须高于 VSTOR (CHGEN)才能开始正常充电。

    此致、

    胡安·奥斯皮纳

    [/quote]
  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    再次感谢您的答复。 我了解。

    VSTOR 达到 VSTOR (CHGEN)(数据表中为1.8V)后、开始正常充电。 在本次正常充电期间、VSTOR 将保持该1.8V 直至 VBAT 达到 VBAT_OV？

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    当 VSTOR 达到1.8V 时、它将继续保持该值、直到 VBAT 上升到1.8V 以上。 然后 VSTOR = VBAT、这两个值都将继续增加、直到 VBAT_OV。

    此致、

    胡安·奥斯皮纳

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的答复。 我现在对电路的理解要好得多。

    1. 在本例中、射频源仅开启几秒钟。 在这种情况下、VSTOR 到达 VSTOR (CHGEN)需要多长时间、即输入应保持在600mV 以上。

    2. TI 是否有任何其他电源管理 IC 可以在低于600mV 的电压下退出冷启动模式。

    3.由于我的供电方只打开了 几秒钟(最多5秒钟),设置连接 MPPT 80%或50%是否会在我的情况下产生影响? 因为数据表提到 MPPT 电路通过定期禁用充电器256ms (典型值)并对一小部分开路电压(VOC)进行采样来每16s (典型值)获得一个新的基准电压。

    提前感谢您的观看

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    有人会在周一之前回复您。

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

  • 0
    TI__Guru**** 2397255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    1. VSTOR 达到 VSTOR (CGHEN)的时间取决于 VSTOR 的电容以及提供的输入功率。

    BQ25504和 BQ25505是冷启动为600mV 的示例。

    3.请根据应用调节的输入电压来配置 MPPT。

    此致、

    迈克·伊曼纽尔