• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 225 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS92692：TPS92692

admin
Guru**** 2389310 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92692
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1277640/tps92692-tps92692

器件型号：TPS92692

您好、TI 团队、

需要通过 TPS92692 IC 的 CISPR25 4类传导发射测试。

我使用 TPS92692Q1构建一个 SEPIC 转换器来驱动 LED。 (参考 EVM 原理图)

输入电压= 8~18V

LED = 4LED 串联(VF = 3.1~3.6V) ILED = 1A

RIS = 0.0047R/RT= 22K/C_DM = 100nF

在正常工作模式下、相对于输入电压电平8-18V、设计工作正常。

辐射测试: CISPR25 4类-但我面临的问题,频率范围的55MHz 到108MHz。 此范围要通过的 dB 限制为24dB 平均限制。

我 从频率范围存档的级别为  55MHz 到108MHz 之间是26dB。 但我几乎没有担心 MOSFET 栅极电阻器、我已经从10欧姆变为50欧姆、并且随着 MOSFET 栅极电阻器的变化、dB 电平降低了8dB 我已经观察到34dB、但在改变电阻器值50欧姆后、我们已经实现了 dB 限值 26dB。

从设计角度来看、这是可以的、并且调节该栅极电阻的限制是多少。 根据数据表、我必须将此电阻器固定为12欧姆。 我将附加图像用于折射。

将此栅极电阻器更改为50欧姆会产生什么影响。

您是否有栅极功率电阻器的任何计算？

请提供您对此要点的宝贵反馈。

此致、

Pankaj Talwar

  • 0
    TI__Guru**** 2389310 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Pankaj：  

    我们的中国专家将于本周休假。  请预计响应会延迟。

    此致、

    戴夫

  • 0
    TI__Guru**** 2389310 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Pankaj,

    此处列出的栅极驱动器电阻图像是 TPS92692的内部驱动电阻、而不是要添加的外部电阻。

    增加的栅极电阻会减慢 FET 的开关速度、从而减慢开关节点电压。  EMI 主要来自这个开关节点电压上升沿和下降沿。  但是、当您减慢该开关边沿时、功率 FET 上的开关损耗会更高。  功率损耗大小取决于您使用的 FET 和栅极电阻以及开关电压。  通过比较10欧姆与50欧姆的输入功率、您可以测量此额外功率损耗。

    另一种减慢开关边沿的方法是在 FET 的接地漏极上添加一个缓冲器(RC)。  从1000pF 和10 Ohm 开始、看看它是否有帮助。  如果电容有效但不够、则应将电容升高到2700pF 甚至更高、以查看其是否足够。  您可能还需要将电阻降低至5欧姆左右。  请注意、电阻器中会出现功率损耗、您必须正确调整电阻器的大小以处理此问题。

    希望额外的栅极电阻和缓冲器都能帮助您达到规格。  您是否曾尝试将 C_DM 电容器更改为0.022uF 和0.22uF 等不同的值、以查看它对 EMI 是否有帮助？  

    请注意、EMI 是一种系统设计、布局和外部组件、有时具有屏蔽层

    谢谢 Tuan

  • 0
    TI__Guru**** 2389310 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tuan：

    感谢您提供的信息。

    我们已将 DM .022uF 更改为.22uF、但 dB 限制上的差异不大。

    我们有可更改的 RC (缓冲电路) MOSFET 漏极5欧姆和1000pF、然后在频率范围55到108MHz 为4dB 时、dB 限制会降低。 我们在 MOSFET 的漏极和源极侧选择了 RC (缓冲器) 10 Ω 和1nf。

    但我有一个问题、栅极电阻器封装的值是0603、值是10欧姆并变为50欧姆您能告诉我用于计算基极电阻器功率的公式吗、我已经看到了很多公式、但在我的例子中并没有什么帮助。  

    我将为"门脉冲"附加图像、您是否可以检查它是否正常。

    等待您的宝贵反馈。

    此致

    潘卡伊

  • 0
    TI__Guru**** 2389310 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Pankaj,

    栅极电阻器中的功率损耗对于您的应用来说是最低的、对于50欧姆栅极电阻器、603封装很合适。  您可以根据需要、以差分方式测量电阻器两端的电压并计算功率损耗。  这是最简单的方法。   

    谢谢 Tuan