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器件型号：LMG2610 如果 GaN 已经在零电压开关下运行、在有源钳位反激式中使用 GaN 有哪些优势？
您好、Kyle、
在有源钳位反激式中实现 ZVS 所需的能量由以下公式描述：
E = 1/2Lm * Im ^2 > 1/2CP * Vds^2
其中 Lm 是变压器的磁化电感、Im 是 高侧 FET 导通时累积的负磁化电流、Cp 是总开关节点电容、Vds 是低侧 FET 的漏源阻断电压。
GaN 的直接优势是、与类似尺寸的硅 FET 相比、上面公式中的 Cp 值明显更低。 换句话说、 硅器件需要更多的 ZVS 能量。 这一高能量需求要求高侧 FET 具有更长的导通时间、从而降低开关频率并增加初级峰值电流。
更高的峰值电流和更长的导通时间会导致 RMS 电流增加、这些电流会表现为 高侧/低侧 FET 以及变压器绕组中的导通损耗。 在许多情况下、这些产生的传导损耗会完全抵消 ACF 的其他优势、例如零钳位损耗和 ZVS。 因此、ACF 可以进行高频切换、同时节省宝贵的功率损耗、但前提是要管理 RMS 电流。
LMG2610器件在高侧和低侧器件的导通损耗和成本之间实现了良好的平衡、同时 具有 GaN 的优势和额外的 集成。