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[参考译文] TPS563200:为实现最小500mA 负载、IC 损坏

Guru**** 2434370 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1267943/tps563200-ic-gets-damaged-for-minimum-load-of-500ma

器件型号:TPS563200

大家好、

我们使用 Webench 设计出了一个12V2A 至5V3A 的电路板。  

在我们开始测试组装的 PCB 时、我们注意到、即使最小负载为5V3A、IC 也会损坏。

下面是 Webench 建议的原理图、我们已实施了相同的原理图。

我们需要您的专业知识来解决设计问题。

此致、

Sadashivan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sadashivan

    "那你打算怎么办?" 高侧 FET 短路(VIN 短接至 SW)还是低侧 FET 短路(SW 短接至 GND)?

    您能否分享布局文件以供查看?

    您是否有一些需要我们检查的测试波形?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Athos、

    感谢您的答复。

    我已经以 PDF 格式附上了原理图和布局。

    原理图和放置

    我们会发现以下两者之间存在短路:

    1) 1) SW 和 GND 引脚。 我们的低侧 FET 认识

    2) SW 和 VIN 引脚。 高侧 FET 的理解。

    在应用中、终端应用是摄像头。 不过、现在我们正在使用实验室电源和实验室可编程负载进行测试。

    当我们将它们用于许多产品开发时、这些是经过认证和校准的实验室设备。

    此致、

    Sadashivan

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    尊敬的  Sadashivan

    对于 FET 短路情况、MOSFET 上通常存在电压应力、并且可能与布局相关。

    原理图看起来很好。 关于布局、GND 引脚应覆盖较大的铜岛、而不是单迹线。

    这可能会导致 GND 布线上出现较大的寄生电感、并且当高侧 FET 导通时 SW 将产生高振铃。

    您可以使用全带宽探头检查 SW 波形、以查看尖峰是否有电压超过19V 的风险。

    要修改布局、您应遵循我们的数据表、尤其是输入和 GND。

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    您好、Athos、

    感谢您的建议。 我们已根据建议重新路由 PCB、电路运行正常。

    此致、

    Sadashivan