[参考译文] LM5113：DCDC 1/4 1000W 转换器

嗨、Nikita、

感谢您提出有关 LM5113的问题。

您能否提供此设置的原理图、以便我进行进一步研究？

如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

你好、William、

是否可以为此设置 NDA？

祝您度过美好的一天！

日田市

嗨、Nikita、

1.您是否有 TSR 或 FAE 来建立 NDA？ 此类引脚通常都可以处理。

2.您是否用已知良好的部件更换了驱动器,并获得了相同的结果?

3.您制作了多少个电路板、其中有多少有问题？

通过查看 EPC9143原理图、该原理图与第7.2节中的功能方框图有所不同、 即 LM5113数据表可通过此链接找到。 EPC9143不包含自举二极管或我可以看到从 VDD 到 HB 的电阻器、而您需要将该二极管包含在您的电路中。

请告诉我你到目前为止所做的工作以及你是否有任何其他问题。

谢谢！

威廉·摩尔

嗨、Nikita、

您是否能够为此找到解决方案？ 如果是、您能否分享您的调查结果？

谢谢！

威廉·摩尔

你好、William、

很抱歉迟到了回复。

1.我可以处理它,没问题。 如果可以导航到正确的人员、请在此处帮助。

2.是的,我们做了一定数量的迭代 ,我们得到了相同的结果。

3.每块板

根据："EPC9143不包含我可以看到从 VDD 到 HB 的自举二极管或电阻器、而您需要将该二极管包含在您的电路中。"

我们试了这个。 没有成功。

谢谢！

日田市

尊敬的 Nikita：

"你是我的女人,我要你的女人,我要你的女人。" 当他回到办公室时、他应该回应你。

此致、

嗨、Nikita、

很抱歉我不在办公室的时候出现了延迟。

通过此器件、我们可以看到钳位电路在启动时 HB-HS 上的高电压被过度充电、并打开自举路径导致无法对电容器充电。 一种可能的解决方案是添加自举电路并使用高电阻(可能大于20欧姆)自举电阻器、以便在 HS 保持为负值时不会现实地过度充电。

另一个选择是较新的 LMG1205 、它在规格上非常类似、并且集成了自举二极管。

如果有任何其他问题、请告诉我。

你好、William、

感谢您的答复。 尝试使用 LMG1205解决方案。  

你好、William、

是否有可能查找采用 WSON-10封装的 LMG1205模拟？

好的、明白了。

因此、出于测试目的 (为了测试我们手头的现有 PCB 板)  、可以尝试 www.ti.com/.../LMG1205HBEVM、对吧？

1.解焊 LM5113SD

2.将来自 Microchip 控制器的 PWM 信号连接到 LMG1205HBEVM

3.将 EVM 板的输出连接到 EPC 晶体管栅极

 

嗨、Nikita、

尝试使用 LMG1205HBEVM 是可以进行测试的、但无法很好地保证这一点。因为在使用 GaN FET 时、PCB 的布局对于实现理想运行非常关键。 通过以这种方式进行测试、您可能会看到一些不利的条件。

提醒一下、使用 LM5113是可行的、但是在实施自举二极管时、您还需要使用一个值相对较高(>20欧姆)的自举电阻器才能正常工作。 在进行任何重大更改之前、这可能是一个测试用例。

如果有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

你好、William、

来改变输出电压。  我们  依次焊接20 Ω 电阻器以自举二极管。  晶体管成功烧断。

嗨、Nikita、

我仍在调查此问题、并会向您返回调查结果、但我想确认您使用的是 LM5113还是 LM5113-Q1？

目前、不推荐在 TI.com 上显示的新设计中采用 LM5113、但 LM5113-Q1仍作为正在供货的器件列出。 因此、如果您希望继续使用该系列器件而不是转换到 LMG1205、我建议使用 LM5113-Q1而不是 LM5113。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嗨、Nikita、

另外、还有几个问题。

驱动器本身是否发生了故障、还是只是 GaN FET？

2.您能测量驱动器每个引脚的电压并向我们发送波形吗? 我们需要确保不会违反任何建议的工作规格。 此外、进行这些测量时、请确保接地环路尽可能短。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

你好、William、

我们正在使用 LM5113、就我在片上可以看到的而言、 L5113无需额外信息。

作者：William、

1.我不知道驱动器。

2.请参阅附件。 请注意、只有高/低侧电阻器未焊接在晶体管栅极之间时、我才能安全地观察波形。

嗨、Nikita、

如果 LM5113未发生故障、您可能会遇到 FET 过压/过流问题、这需要 EPC 加以调查。 由于 VDD 这种不典型的情况以及 HB 和 HOH 上的纹波会导致 FET 上的 OV/OC、从而导致故障。

VDD 上有太多大约0.5V 的低频噪声。 请确保 VDD 电容器尽可能靠近 IC 并且足够大。 VDD 旁路电容器的数据表中的第8.2.2.1节对其大小进行了解释和显示。

如果两个 GaN FET 都发生故障、则死区时间可能会过短、因为在某些工作条件下、会牺牲死区时间、从而使功率器件停止工作。

您能否检查这些内容并告诉我您的发现以及您正在使用的死区时间和旁路电容器？

谢谢！

威廉·摩尔

你好、William、

在一些迭代中、我们 通过   将外部电容器添加到+5V 电路来修复 VDD 上的低频噪声(我们使用 LM5017将54V 转换为5V)。 今天我重复了所有步骤。 下面是行为：

1.  未焊接的晶体管。

2.5V 稳定、 VDD 上无低频噪声。

3.接通电源后，10秒后，我们在高侧观察不到任何 PWM 信号。 观看视频。

e2e.ti.com/.../IMG_5F00_1356.MOV

嗨、Nikita、

很遗憾、我无法观看此视频。 您是否能够在 VDD 处于运行状态且稳定的情况下发送这种新设置的波形图像？ 输出 FET 后、我们无法获得所发生情况的准确表示。

由于存在此 VDD 噪声、驱动器未发生故障、但 FET 发生故障、因此这可能是 FET 的问题、需要对 EPC 进行处理。 根据您之前发送的波形、只有 VDD 波形真的是个问题、因此如果您可以使用电容器清理 VDD 信号、那么您很可能就可以解决您的问题。

请告诉我、您由此得到的结果是什么。

谢谢！

威廉·摩尔

您好、William、

请参阅屏幕截图。 10秒后、我们在高侧没有观察到 PWM 信号。

蓝色-高侧

红色-低侧

绿色- 5V 电平

如果我们用这种 PWM 将晶体管连接到电路板、它将被烧毁、确实是这样。