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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1273773/bq25710-rdson-qg-requirement-of-mos-model
大家好、
我想问一下、对于 NVDC 的 TI Charger MOS 降压侧的高低电桥上的 MOS 的 RDS 和 QG 有参数要求、比如 BQ25710 BQ25720 BQ25713等。
此致、
岳雅登
工程师正在休假。 请在下周一再次查看。
你好、Tiger、
期待您的回复。
Jaden、您好！
充电器对 FET 的选择并不挑剔。 这取决于您的功率级别。 我们发现 CSD17551可实现更好的效率。 CSD17551具有10m Ω RDSON 和6nC Qg。
虎
