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器件型号：BQ24296M 大家好。
我们使用 BQ24296M 的原型设计 存在 EMI 问题。 您能看一下设计吗？ 可能是我缺少的东西。
问题描述：
- 该设计在由+VPSU 供电时、表现出极大的射频本底噪声降级(高达10dB @ 868 MHz)。
- 本底噪声降级与施加的+VSYS 负载相关(电流越大、噪声越大)。 轻负载时没有噪声(300 mA)
- 在更换+VPSU 电源时、噪音量不会改变。
- 将电感器替换为完全屏蔽的电感器或在+VPSU 处添加铁氧体磁珠不会影响噪声。
- 将 VBUS 去耦电容器替换为1uF 会使噪声更糟。
有关此系统的其他信息：
- IINLIM 2.0 A
- VSYSMIN 3.5V
- ICHG 640 mA
- 不充电时的平均系统电流--300 mA
- 未充电时的峰值系统电流~3.5A (短暂 GSM 突发)
- 868 MHz 收发器 含有32 MHz 晶体、因此它可能对64 MHz、96 MHz、128 MHz 等噪声谐波敏感。
原理图：
布局(4L PCB、SIG+PWR - GND - GND+PWR - SIG+GND)：
