[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] BQ76952：关断模式如何工作？

您好！

下面是关断模式的概述、应该可以回答上面列出的问题：

关断模式：

SHUTDOWN 模式是器件的最低功耗模式、通常用于运输或长期存储。  在此模式中、内部逻辑断电、并且所有数据存储器(RAM)寄存器信息丢失。  在关断模式下、该器件被完全禁用(包括内部、REG1和 REG2 LDO)。  CHG、PCHG、DSG 和 PDSG FET 均被禁用。  禁用所有的电池保护、不进行任何测量。  有一个功耗非常低的~5V 内部电压轨、它通过一个~4.6MOhm 电阻器驱动到 TS2上用于唤醒检测。

进入 SHUTDOWN 模式：

可通过许多不同的方法来启动关断序列。  如果满足以下列出的任一条件(无论是用户操作还是故障)、器件将启动关断序列。

启动关断序列的条件：

• 用户操作：
  • 已给出关断命令
  • RST_SHUT 引脚被驱动为高电平≥1s
• 故障：
  • 低 VBAT 电压(BAT 引脚电压降至 VPORA–VPORA_HYS 以下)
  • 低电池组电压(由 电源：Shutdown：Shutdown Stack Voltage )
  • 最小电芯电压较低(由设置 电源：关断：关断电芯电压 )
  • 过热
    • 设置者 电源：关断：关断温度
    • 设置者 设置：配置：Power Config[OTSD]
  • 内部存储器故障

条件阈值和时序的更多信息可在 技术参考手册中找到。

如果关断序列启动、并且 TS2引脚保持低电平或 LD 引脚保持高电平、则器件不会完全进入关断模式、而是会卡在软关断状态。  软关断是在尝试进入 SHUTDOWN 模式时器件转换的一种临时状态。  有关软关断的更多详细信息、可在 软关断常见问题解答中找到。

启动关断序列后、器件将等待 电源：关断：FET 关断延迟 ，然后禁用保护 FET。  在延迟 电源：关断：关断命令延迟 从首次写入 SHUTDOWN 命令开始、器件会尝试进入 SHUTDOWN 模式。  仅当满足进入 SHUTDOWN 模式的条件时才会成功。

请注意、 电源：关断：关断命令延迟 延迟时间、该延迟时间应比 电源：关断：FET 关断延迟 以确保在器件进入 SHUTDOWN 模式之前 FET 可以正确关断。  为了绕过 电源：关断：关断命令延迟 ，用户可以在 UNSEALED 或 FULLACCESS 模式下发送两次 shutdown()命令。

确定 BQ769x2是否处于关断模式：

要检查器件是否处于关断模式、用户可以测量 REG18引脚上的电压。 如果器件处于关断模式、则引脚将输出0V、否则 REG18 LDO 将输出1.8V。  

退出 SHUTDOWN 模式：

在关断模式下、TS2将以~4.6m Ω 的弱上拉电阻空闲为高电平。  要唤醒器件、必须将 TS2引脚拉至 GND、或者必须将 LD 引脚拉至~1.45V 以上。  发生这种情况后、TS2将弱保持在0V 左右。  从 SHUTDOWN 模式唤醒时、该器件会将 OTP 设置加载到 BQ769x2器件寄存器中。  任何未编程到 OTP 中的寄存器设置都将在唤醒时复位为默认值。

典型唤醒过程的一个例外是由低 VBAT 电压导致的关断。  如果电压从低于 VPORA–VPORA_HYS 上升、那么器件将被唤醒。  请注意、 电源：Shutdown：Shutdown Stack Voltage 必须高于 VPORA–VPORA_HYS ,否则器件将进入由低电池组电压触发的 SHUTDOWN 模式,并且只能通过拉低 TS2引脚或 LD 引脚高电平来唤醒 。

当该器件从关断状态唤醒时、通常需要大约200-300ms 来使内部电路上电、从 OTP 存储器加载设置、执行初始测量、评估那些与启用的保护相关的值、然后在条件允许时启用 FET。 该时间可能长得多、具体取决于设置。  请参阅 数据表中的表16-2 以了解更精确的时序规格：

为了防止 SHUTDOWN 模式期间的意外唤醒、BQ769x2还可以配置为在 电源：关断：自动关断时间 。  仅当器件从 SHUTDOWN 模式唤醒而未发生任何有效通信或检测到任何充电或放电电流时、BQ769x2才会自动关断。  这些预防措施可防止器件在特意唤醒的情况下进入 SHUTDOWN 模式。

有关在电源模式之间转换的常见方法的摘要、请参阅 技术参考手册中的图7-1。

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