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[参考译文] TPS23754:IEEE802.3at &IEEE802.3-2005差异

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23754
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1258332/tps23754-ieee802-3at-ieee802-3-2005-difference

器件型号:TPS23754

您好!

能帮我们解释下图吗? 谢谢

数据表图表20、它被标记为在30~37V 的输入范围内关断。 TPS23754PWP 此时是否工作?

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    尊敬的 Tommy:

    TPS23754的 UVLO-TPS23754 VSS 如下所示 VDD。  

    迟滞值和 VDD 上升 UVLO 可能无关。

    如果使用的典型值、则可以 保证 PD 在35V Rating 时开启、在30.45V 下降时关闭。 这两个值满足30V 必须关断和42V 必须导通的条件。

    此致、

    帝昂  

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    尊敬的 Diang:

    好的~、因此 IEEE 802.3-2005是一种旧协议、它可能不是 IEEE802.3af 标准。

    BTW、可以满足以下条件、GATE/GAT2必须正常工作、对吗?

    如果使用的典型值、则可以 保证 PD 在35V Rating 时开启、在30.45V 下降时关闭。 这两个值满足30V 必须关断和42V 必须导通的条件。

    [/报价]
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    尊敬的 Tommy:

    这种"打开"和"关闭"是指 VSS 和 RTN 之间的内部热插拔。 它来自电源接口模块。

    GATE /GAT2来自 PWM 控制器模块、遵循 Vc 的 UVLO。

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Diang:

    感谢您的帮助、我们仍然有一些问题、可以提供帮助吗?

    我们想了解所附有源钳位 MOS 损坏的原因、您能否帮助我们检查原理图和 MOS 规格是否正确?

    以及 VDS 波形对 MOS 的影响。 谢谢。

    e2e.ti.com/.../DAP_2D00_3666_5F00_TPS23754-_2800_1_2900_.pdf

    e2e.ti.com/.../ds_5F00_am2391p_5F00_1a-_2800_003_2900_.pdf

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    尊敬的 Tommy:

    当然可以。 我们将查看原理图、并在本周前与您联系。

    此致、

    帝昂  

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    尊敬的 Tommy:

    关断时的 P-MOS 电压等于钳位电容 PC132电压。 如果过压是瞬态的、您可以考虑尝试使用更大的  PC132 电容。

    如果是在稳定状态下、PC132电压等于 Vin/(1-D)=(N_pri/N_sec)* Vout/(D*(1-D))。 当您具有低 Vin 和相同的 Vout 时,您应该具有更大的 D 和更小的 D*(1-D)。 则您可能具有更高的钳位电容器 PC132电压。 在这种情况下、您可能会考虑具有较小 N_pri:N_sec、但较小 N_pri:N_sec 可能会导致第二侧 FET 上的关断电压更高作为折衷。

    此致、

    帝昂  

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    尊敬的 Diang:

    好的~ 明白了、还有一个问题、

    耦合到 CLS 引脚的电阻器决定用于器件的 PSE 的类型。 由于此处的 CLS 电阻器为63.4欧姆、因此电源适配器应为 IEEE 802.3at。

    或者、在这种情况下(63.4Ω、4类)、它同时适用于 IEEE 802.3af 和 IEEE 802.3at?

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    尊敬的 Tommy:

    为简单起见、您可以考虑 802.3af 不包括 802.3at、但802.3at 包括802.3af。  

    4类可应用于802.3at 情况。 如果使用802.3 af PSE 来驱动 Class4 PD,则可能无法正常工作。

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Tommy:

    我现在将关闭该主题。 如果您还有其他问题、请回复或打开新的主题帖。

    此致、

    帝昂