我们一直在调查一些单元故障、其中我们会看到升压转换器 MOSFET 发生故障。 在此测试过程中、已注意到一些异常导通行为。 作为参考、这里是该单元中的实现。

我们注意到、升压转换器 FET 在加电(80至150us)时意外被命令导通。 所担心的是、这可能会导致高峰值电流(280V 输入短路)和 FET 过度耗散、从而导致故障。 我们不认为这是故障的主要原因、但我们想了解这一点。
Vaux_C 启动时间的变化会影响此持续时间、更快的启动会导致脉冲更长。 查看数据表后、建议将 VC 和 VIN 连接在一起、如下所示:

但在此设计中您可以看到、它们由499 Ω 电阻器 R175进行隔离。 移除此电阻器确实会导致导通脉冲消失:
遗憾的是、设计工程师已不在公司、所以我不能问量产流程是什么。 我在这里与其他一些工程师讨论过、这是他们的输入:

尽管 TI 应用手册中具有严格的 Vc 和 Vin、但从其数据表来看:Vc 是 FET 驱动器输出的输入电源连接、因此较高的电流(纹波电流)将通过该测试; VIN 是此器件的输入电源连接、电流较少(PWM 芯片的辅助控制、纹波电流更少)将通过该器件。 因此、用 RC 滤波器将 Vc (电源)与 Vin (信号)分离是一种很好的做法。
简而言之、您能否帮助解释似乎是 R175导致的这个导通脉冲的原因、以及您能否就 TI 在这些网络之间使用滤波器时可能遇到的任何问题(除了明显的异常导通之外)提供评论。