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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272210/csd19533kcs-peack-diode-recovery-dv-dt
尊敬的专家：
我注意到、我们的所有 dv/dt 都没有"峰值二极管恢复 MOSFET"规格。 如何获得 CSD19533KCS 的规范？
谢谢！
约翰
您好、John：
谢谢咨询。 您指出、TI 没有在我们的 FET 数据表中规定峰值二极管恢复 dv/dt。 我见过以下计算方式：
dv/dt = VTH/(RG x CGD)
使用 CSD19533KCS 数据表中计算出的峰值二极管恢复 dv/dt 为：
dv/dt = 2.8V/(1.2Ω x 9.6pF)= 243V/ns
这未经过测试和指定、因此无法保证。 如果您有任何问题、敬请告知。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
感谢您的回复。
我认为您计算 dv/dt 容量的是基于米勒电容(CGD)机制的。 不过、还有另一种 dv/dt 感应故障开启机制、即高 dv/dt 引起流经体二极管的恢复电流导致寄生 BJT 开启。 正如我所知、第二种机制的 dv/dt 能力要低得多。
是的、还需要考虑寄生 NPN 双极。 计算方法如下：
dv/dt = VBE /(CBD x RB)
我们尚未针对这些参数对 FET 进行表征。 我咨询了一位设计人员、FET 设计为尽可能降低 Rb 的值、以防止寄生 BJT 开启。 标准可靠性数据表明器件在正常工作条件下保持稳定。 一般而言、我们最关心的是 Cdv/dt (米勒电容)开启导致击穿并可能损坏器件。 电荷比 Qgd/Qgs < 1、用于防止 CDV/dt 感应 FET 导通。 除此之外、我们没有任何其他要共享的数据。
谢谢。
