团队、您好！
我们正计划将 OR 控制器 LM5050用于其中一个应用。
电池输入电压为54V。
从功能方框图中可以看到、我们有一个电荷泵、其输出连接到 MOSFET 的栅极、而栅极电压绝不可能高于 VIN 的14V、因为有一个齐纳二极管。
请更正我的错误
因此选择的 MOSFET 必须 大于14V 的 VGSmax。 请更正我的错误。
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Vijay、您好！
是的、您的理解是正确的。 LM5050-1将在外部 FET 栅源上施加的最大电压仅为14V。 您可以选择 Vgs 额定值>15V 的 FET、并避免在 FET 栅极-源端上使用任何额外的齐纳二极管。
您好 Praveen：
感谢您的答复。
如果我在以下配置中使用 MOSFET 作为电源开关、而不是负载开关/或控制器 LM5050、是否有任何问题？ 
此外、由于 MOSFET 没有压摆启动/软启动功能、它是否会因过流而关闭输入电压源？
使用分立式 MOSFET 或 LM5050时没有浪涌保护。
随附的视频链接指出我们需要浪涌电流保护。
您能对此发表评论吗？
只是出于好奇。
如果我改变 MOSFET 源极与漏极的连接、以及漏极与 MOSFET 源极的连接、将会发生什么情况？
因为在通常情况下、体二极管将处于正向偏置状态、并且我们将在 MOSFET 的漏极获得输出电压。
当 MOSFET 反向连接时、体二极管将被反向偏置、只有当启用 IC 时、VOUT 才会出现电压。
我认为、只要输入电压低于14V、这就不会是问题。
您能否对此发表评论？
Vijay、您好！
请参阅下面的 e2e 常见问题解答、
能否将理想二极管控制器用作带外部 MOSFET 的负载开关？
对于负载开关或电源路径开/关控制、您可以考虑使用 LM74502-Q1、如下所示：
为了控制浪涌电流、您可以在 FET 栅极与 GND 之间使用 RC、如下所示。
