[参考译文] BQ24133：ACFET、RBFET 和 BATFET 选择(Qg 和 Qgd 规格)

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1263608/bq24133-acfet-rbfet-and-batfet-selection-qg-and-qgd-specs

器件型号：BQ24133

您好！

来自此 TI 问题： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/945449/bq24171-acfet-and-rbfet/3493046?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=bq24133%252520ACFET#3493046

对于 ACFET 和 RBFET、建议实现低 RDSON 和低 Qg 和 Qgd。

BQ24133 EVB (15V 版本)具有 ACFET/RBFET (Qg = 2.1nC @4.5Vgs、Qgd = 0.4nC)和 BATFET (Qg = 2.6nC @4.5Vgs、Qgd = 0.5nC)

我们的应用将具有最大电流 6-6.5A 经过 ACFET/RBFET、 8-8.5A 通过 BATFET。

我们有一个 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的初始列表、它们可以处理通过它们的电流并具有低 Rdson、但 MOSFET 的 Qg 和 Qgd 不如 EVB 上的 MOSFET 低

这些 FET 初始列表中的 Qg 的范围为4.3nC 至24nC。 Qgd 的范围为1.7nC 至5.1nC。什么被视为低 Qg 和 Qgd？我们可以高于 EVB 上 FET 的 Qg 和 Qgd 吗？这将如何影响充电器 IC 的电源路径性能？或者、我们应该尝试找到类似于 EVB FET 的 Qg 和 Qgd 的 FET？

谢谢。

丹尼尔

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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尊敬的 Deniel：

感谢您与我们联系！

我将对此进行深入探讨、并在周中之前与您联系。

此致、

Aya

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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尊敬的 Deniel：

EVM 上的 MOSFET 是为了优化器件应用而选择的。

我们强烈建议选择与 EVM 非常相似的 RDSON、Qg 和 Qgd 的 FET。如果您想从列表中选择一个 FET、那么我建议使用较低范围的 FET、该范围与 EVM 的性能不会有太大差异。

如果您有其他问题/疑虑、敬请告知。

此致、

Aya

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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您好、Aya：

感谢您的答复。我还有一些其他问题。

1.对于 BQ24133 EVM - 15V、如果 VSYS 通过 Q4 P 通道 MOSFET 来自电池、那么它允许的最大输出电流是多少？

2.如果我们只能在两者之间进行选择:我们应该优先获得较低的 Qg、ON 还是 RDS/Qgd ?

3.较大的 Qg / Qgd 有什么影响? 例如、EVM P 沟道 FET 的 Qg 为2.6nC @ Vgs = 4.5V、ID = 3A。是否存在我们不应该得到的 Qg 上限值？在 Vgs = 4.5V 时、可以选择 Qg 15nC 甚至20nC 吗？

从我们的列表中可以看出、具有载流能力(连续漏极电流额定值)的 MOSFET 通常具有更高的 Qg 值。

谢谢。

丹尼尔

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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尊敬的 Deniel：

我将在星期二回复您、提供反馈。

此致、

Aya

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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您好、Aya：

我的后续问题是否有任何更新？

谢谢。

丹尼尔

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2386840 points

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尊敬的 Deniel：

感谢您的耐心。

我们不控制通过放电路径的电流。此器件依靠电池保护器来检测任何过度放电情况。这也可能受 MOSFET 电流额定值的影响。

这有一个折衷方案、它取决于您的系统要求。 Qg 与效率相关、而 Rdson 和 Qgd 与开关打开/闭合的速度相关。

3-很遗憾、因为这是一个旧器件、我们在各种 Qg /Qgd 值上有有限的数据。因此、我无法提供上限阈值、因为我们过去未进行测试。

此致、

Aya

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