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[参考译文] UCC28742:在随附的 Webench 设计文件中有关开关 NMOS FET 的 VdsMax 的问题。

Guru**** 1810440 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28742
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1265576/ucc28742-question-about-vdsmax-of-switching-nmos-fet-in-the-attached-webench-design-file

器件型号:UCC28742

大家好!

在以下条件下、我的一个客户运行 Webench 来设计反激式电源、并使用 UCC28742。

VIN = 1200V、(1.2kV)
Vo = 24V、
Io = 6A

下面附上结果。
因此、 在当前数据库中找不到合适的 FET、所以变压器驱动 NMOS FET (M1)是理想的 FET。  
结果表明 NMOS FET VdsMax 为1.516kV。

此时、客户有以下问题。
请你给我答复吗?

问:1.516kV 有任何裕度吗?
   或者他们是否需要在1.516kV 的电压下增加任何裕度?

非常感谢您的答复。

此致、
和也。

e2e.ti.com/.../WBDesignVin1200V_5F00_Vo24V_5F00_Io6A.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kazuya:

    可通过以下公式在消磁时间(MOSFET 关断)内估算 MOSFET 的额定电压:

    vSwitch = Vin+(输出电压)* n

    其中:

    vSwitch 是 FET 两端的电压。

    VIN 是输入电压。

    VOUT 是输出电压。

    N 是初级与次级匝数比

    利用您的值、我们可以估算出 vSwitch = 1458V

    对于此数字、需要加上漏电感引起的峰值电压(就在 MOSFET 关断后)。 此峰值电压将在开关周期的很短时间内施加。 也就是说、Vdsmax 的 WEBENCH 结果对我来说有意义。 留有结果裕度(较高电压)始终是好的、但了解 MOSFET 的额定电压始终是好的。

    如果您还有任何问题、请让我回复该主题。