您好!
我们之前参考过参考设计(WBDesign198_LM5122MH_reference 设计、从 TI 一方设计)来完成我们的原理图(Design_198 LM5122MH_NOPB)、但 LM5122升压功能完全失败。
目标规格如下所示。
设计: 198 LM5122MH/NOPB
LM5122MH/NOPB 5V-30V 至100.00V @ 0.1A
VinMin = 5.0V
VinMax = 30.0V
VOUT = 100.0V
Iout = 0.1A
器件= LM5122MH/NOPB
拓扑=升压
已创建= 2022年07月14日11:05:35.467
BOM 成本=北美
BOM 数量= 26
总 Pd =


TI 的在线 FAE 曾指出、 升压功能故障应该是由于我的原理图中的 Q2 MOSFET 的引脚设计错误所致、必须将漏极引脚和源极引脚交换、使设计正确。
我确实遵循了这条评论、替换为新的 MOSFET (具有完全相同的器件)并交换了两个引脚、但升压故障仍然相同。 也就是说、到目前为止、在空载条件下、Vout 电压(直流10V)几乎与 Vin (直流10V)相同。
您能建议我如何解决此升压故障问题吗?
非常感谢提前!
此致、
Bob Chen 2023/08/23
