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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262852/tps82693-additional-output-capacitance
您好！
在数据表中、我发现：
"附加输出电容(PFM)最大4 µF "
这意味着什么？
在 Vout 处连接的系统(例如 NAND、蜂鸣器...)的所有总容量不能超过4µF？
此致
埃卡特
您好、 Eckart：
感谢您与我们联系。
Unknown 说： "附加输出电容(PFM)最大4 µF " 这意味着什么？ [/报价] 它是当器件处于 PFM 模式时可以添加的最大额外电容器。 Unknown 说：连接到 Vout 的系统的所有总容量(例如 NAND、蜂鸣器...)，这些单个组件的容量不能超过4µF？ 在 Vout 处连接到器件附近的最大电容应为4uF。 谢谢。此致、 Moheddin。 [/quote]
它是当器件处于 PFM 模式时可以添加的最大额外电容器。
Unknown 说：连接到 Vout 的系统的所有总容量(例如 NAND、蜂鸣器...)，这些单个组件的容量不能超过4µF？
在 Vout 处连接到器件附近的最大电容应为4uF。
谢谢。此致、
Moheddin。
因此我理解正确、器件附近的最大容量必须为4µF。
我们在 Vout 线路上连接了 NAND 和微控制器、这两个器件在 Vdd 线路上都有10µF 容量。
这对系统来说太多了吗？ NAND 和 μ µC 都不在 TPS82693附近。
Unknown 说：因此我明白设备附近的最大容量必须是4µF。
是的、是这样。
Unknown 说：这对系统来说太多了吗？ NAND 和 µC μ A 都不在 TPS82693的附近。[/报价] µC NAND 和 Δ I 的电容不在器件附近、我没有发现任何问题。 谢谢。此致、 Moheddin。
µC NAND 和 Δ I 的电容不在器件附近、我没有发现任何问题。
好的、谢谢。
什么时候应该在 Vout 路径中使用串联电阻？
当转换器的稳定性不佳或开关频率不稳定时、是否只能使用输出电压的容量？
Unknown 说：何时应在 Vout 路径中使用串行电阻器？
相反、我建议在 Vout 与 µC 和 NAND 的附加电容器之间添加一个铁氧体磁珠。
此外、请通过使用和不使用铁氧体磁珠时的负载瞬态响应检查器件的稳定性。
您可以通过观察负载瞬态响应来检查器件的稳定性。 请使用此应用手册- 简化稳定性检查(修订版 B)(TI.com)
