我试着理解 SOA 中的热不稳定性限制、这意味着 MOSFET 应该在负温度系数下运行。 但根据 数据表的"传递特性"来看、 负温度系数面积 超过一个特定值(IDS<180A)、换言之、IDS 越大、稳定性越高。 因此、安全工作区应高于热不稳定性限制曲线、而不是 低于该曲线。 我想知道我的理解是否有问题。 顺便说一下、 我想知道如何 测量此曲线(热不稳定性限制)。
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我试着理解 SOA 中的热不稳定性限制、这意味着 MOSFET 应该在负温度系数下运行。 但根据 数据表的"传递特性"来看、 负温度系数面积 超过一个特定值(IDS<180A)、换言之、IDS 越大、稳定性越高。 因此、安全工作区应高于热不稳定性限制曲线、而不是 低于该曲线。 我想知道我的理解是否有问题。 顺便说一下、 我想知道如何 测量此曲线(热不稳定性限制)。
Steve、您好!
谢谢咨询。 对于数据表中的 VDS 图形、IDS/IDS 工作点必须始终低于特定脉冲宽度的线。 在曲线以上运行可能会对 FET 造成永久损坏。 数据表图3中的传递特性显示了 VGS 和 IDS 之间的关系。 当 VGS 的值低于 ZTC (零温度系数)时、漏极-源极电流随着温度升高而增加、从而可能导致热失控。 当 VGS 值高于 ZTC 时、漏源电流随着温度升高而降低。 请单击以下链接查看应用手册。 其中包括指向所有 TI 基于网络的 FET 技术信息的链接。 其中、您将找到一系列有关了解 MOSFET 数据表的博客、包括一个关于安全工作区的博客。 如果您有任何其他问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
您好、John:
感谢您的分享。 我已经看过有关 SOA 的系列视频、但我仍然有问题。 所谓"在 VGS 值低于 ZTC (零温度系数)时、漏极-源极电流随着温度升高而增大、从而可能导致热失控" 、因此 MOSFET 应在 VGS 高于 ZTC 的区域内运行、 相应的漏源电流 IDS 应超过 ZTC (超过180A)。 但实际上、SOA 显示 IDS 对于 DC 不能超过100A。
Steve、您好!
我咨询了一位撰写了《了解 MOSFET 产品说明书》博客系列的同事。
基本上、为了完全避免热跑道运动、您需要在 VDS = 5V 且 VGS > 3.6V 的情况下运行 CSD18502KCS、如传递特性所示。 当 VGS 低于对应于 ZTC 点的电压时、FET 必须在 SOA 图的限制范围内(在给定脉冲宽度的线下方)工作。 因此、在 VDS =5V (来自传输曲线)时、您需要调节 VGS、以确保 IDS 不会超过 SOA 图中给定脉冲宽度的限值。 SOA 是热失控可能发生在 ZTC (VGS = 3.6V、VDS = 5V)点以下的一个指示器。 这有点令人困惑、但我认为无论您在低于 ZTC 的条件下运行 FET、都需要确保不超过 SOA 限制。 事实上、对于给定的脉冲宽度、FET 应始终在 SOA 线以下运行。
谢谢。
约翰