[参考译文] CSD18502KCS：安全工作区(SOA)

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1260843/csd18502kcs-the-safe-operating-area-soa

器件型号：CSD18502KCS

我试着理解 SOA 中的热不稳定性限制、这意味着 MOSFET 应该在负温度系数下运行。但根据数据表的"传递特性"来看、负温度系数面积超过一个特定值(IDS<180A)、换言之、IDS 越大、稳定性越高。因此、安全工作区应高于热不稳定性限制曲线、而不是低于该曲线。我想知道我的理解是否有问题。顺便说一下、我想知道如何测量此曲线(热不稳定性限制)。

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1144270 points

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Steve、您好！

谢谢咨询。对于数据表中的 VDS 图形、IDS/IDS 工作点必须始终低于特定脉冲宽度的线。在曲线以上运行可能会对 FET 造成永久损坏。数据表图3中的传递特性显示了 VGS 和 IDS 之间的关系。当 VGS 的值低于 ZTC (零温度系数)时、漏极-源极电流随着温度升高而增加、从而可能导致热失控。当 VGS 值高于 ZTC 时、漏源电流随着温度升高而降低。请单击以下链接查看应用手册。其中包括指向所有 TI 基于网络的 FET 技术信息的链接。其中、您将找到一系列有关了解 MOSFET 数据表的博客、包括一个关于安全工作区的博客。如果您有任何其他问题、敬请告知。

https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1144270 points

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您好、John：

感谢您的分享。我已经看过有关 SOA 的系列视频、但我仍然有问题。所谓"在 VGS 值低于 ZTC (零温度系数)时、漏极-源极电流随着温度升高而增大、从而可能导致热失控" 、因此 MOSFET 应在 VGS 高于 ZTC 的区域内运行、相应的漏源电流 IDS 应超过 ZTC (超过180A)。但实际上、SOA 显示 IDS 对于 DC 不能超过100A。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1144270 points

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Steve、您好！

我咨询了一位撰写了《了解 MOSFET 产品说明书》博客系列的同事。

基本上、为了完全避免热跑道运动、您需要在 VDS = 5V 且 VGS > 3.6V 的情况下运行 CSD18502KCS、如传递特性所示。当 VGS 低于对应于 ZTC 点的电压时、FET 必须在 SOA 图的限制范围内(在给定脉冲宽度的线下方)工作。因此、在 VDS =5V (来自传输曲线)时、您需要调节 VGS、以确保 IDS 不会超过 SOA 图中给定脉冲宽度的限值。 SOA 是热失控可能发生在 ZTC (VGS = 3.6V、VDS = 5V)点以下的一个指示器。这有点令人困惑、但我认为无论您在低于 ZTC 的条件下运行 FET、都需要确保不超过 SOA 限制。事实上、对于给定的脉冲宽度、FET 应始终在 SOA 线以下运行。

谢谢。

约翰

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 1144270 points

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非常感谢您的回答。

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