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TPS552882QRPMRQ1中的降压模型、降压/升压模型和升压模型的输入电压开关阈值是多少？
TPS552882QRPMRQ1的 DR1H 和 DR1L 之间的死区时间是多少(在数据手册中没有找到相关值)、芯片内上下管的死区时间是多少？
您好、七个人
以12V 输出电压400kHz 为例、从降压到降压-升压的 Vin 阈值转换大约为12.4V、从降压-升压到升压的 Vin 阈值转换大约为11.1V。 从升压转换到 Bubo 的 Vin 转换约为11.7V、从 Bubo 转换到 Buck 的 Vin 约为13.0V。
DR1L 和 DR1H 的死区时间大约为10-20ns。 升压侧 FET 的死区时间也约为10-20ns。
BRS、
布莱斯
布莱斯、您好！
我们使用2MHz 的频率、此时、这三种模式的阈值与400kHz 不同、对吧？ 您能否在2MHz 提供特定的阈值。
另一个问题是、我们是否针对 TPS552882的外部 MOS 选择有建议？
输入电压范围、输出电压和最大输出电流是多少？
对于2MHz、当 Vin/Vout>1.33时将进入强制降压； 当 Vin/Vout<0.75时、将进入强制升压。
请参考 TPS5528EVM -2MHz 上使用的 IPZ40N04S5L7R4ATMA1、以获取外部 MOSFET 基准。
