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[参考译文] LM5157:在反激式拓扑中、反馈绕组是反向的、导致芯片损坏

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5157
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1259285/lm5157-in-flyback-topology-the-feedback-winding-is-reversed-resulting-in-chip-damage

器件型号:LM5157

Stefan、您好、

这是客户的案例。 在反激式拓扑中、反馈绕组是反向的、从而导致芯片损坏。  

我在 PSpice 中进行了仿真和分析、从而重现该情况。

根据仿真结果、初级侧的电流在0.1us 内达到100A。

为什么在实践中不触发 OCP? 当反馈绕组反转时、芯片损坏、需要保护。  

此致

兰尼

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    您好、Rannie。

    感谢您使用 e2e 论坛。
    因此、客户会发现在反激拓扑中的电感器中出现大电流尖峰后、IC 会受损?

    您能否详细介绍他们的申请?
    我需要输入电压范围、输出电压和负载、最好是完整的原理图。

    谢谢、此致、
    尼克拉斯

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    您好、Niklas、

    客户的设计如下所示:

    此设计为 PSR。  反馈绕组的输出为 Vo1。  在进行测试时、反馈绕组意外反接。 然后他们发现 LM5157被损坏了、想要弄清楚 LM5157的 OCP 为什么没有被触发?

    此致、

    兰尼

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    您好、Rannie。

    感谢您的澄清。
    LM5157具有最短导通时间。

    即使由于短路而触发 OCP、FET 也只会在最短导通时间后关闭。
    在仿真波形中、看起来 FET 在大约80ns 后关断。 这与器件的最短导通时间匹配。

    此致、
    尼克拉斯