[参考译文] TPS23754：30MHz 至40MHz 之间的 RE 故障

您好、Aswin、

移除 D6和 R11可能会增加关断时间、这通常会导致开关损耗略有增加(主要的开关损耗来自正常导通)。  

R13的值通常取决于 Q1的输入电容器、您通常可以尝试5 - 30欧姆。

有时、调整 Q1和 D35的缓冲器电路有助于将30MHz 降低为40MHz 噪声幅度。  

此致、

帝昂

尊敬的 Diang：

感谢您的答复、我们还有一些相关问题。

对于 R13可以使用100E 电阻器吗？与使用30E 等较低值相比、100E 电阻器可以获得更好的结果。采用此方法是否存在任何问题？
使用22E 作为 R13时、在 MOSFET 栅极连接波形(图1)、使用100E 作为 R13时(图2)。

图1. R13 = 22E

图2. R13 = 100

您好、Aswin、

感谢您的答复。 是的、R13 = 100Ohm 显示了非常干净的 Vgs 波形。  

我可以知道第一季度的部件号吗？ 如果 Q1是额定电流非常低的器件、则50 - 100欧姆栅极电阻器可能非常合适。

此致、

帝昂

尊敬的 Diang：

 我们正在将 Vishay 的器件 SI7898DP-TI-GE3用于 Q1

您好、Aswin、

感谢您的信息。

看起来  SI7898DP-TI-GE3具有900 pF 输入电容、这是在此额定功率下 PoE 的常见值。 我怀疑 Vgs 振荡可能是导通期间 Vds 耦合引起的。

虽然 Vgs 上没有过压应力、并且如果没有热问题和 Vds 过压应力、则100 Ω 栅极电阻器是没有问题的。

此致、

帝昂

您好、Aswin、

我现在将关闭该主题。 如果您还有其他问题、请回复或打开新的主题帖。

此致、

帝昂