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[参考译文] TLV1117LV:从对地供电 LDO 切换到正向供电时具有锁存的高无源电流消耗

Guru**** 1149670 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV1117LV, TLV1117
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1333997/tlv1117lv-latched-high-passive-current-consumption-when-switching-from-back-powering-ldo-to-forward-powering

器件型号:TLV1117LV
主题中讨论的其他器件: TLV1117

大家好、第一次在这个论坛上发布消息。

在我们的 PCB 设计中、此器件出现了奇怪的问题、通过针对这篇帖子的简单设置、我设法重现了奇怪的行为。

该问题可以总结为、该器件最终会处于"锁存"状态、在这种状态下、它消耗~200mA @ 5V 电压并变得很热、即使没有输出负载也是如此。 此状态不会消失、直到移除并重新施加、此时器件无限期冷运行。  如果在启用电源时对器件反向供电(即 LDO 输出轨仍然存在)、则进入该状态。

可以执行以下步骤来重现此问题:

  • 为 TLV1117LV33设置1uF 输入和输出 陶瓷电容
  • 向 TLV 输出引脚施加3.3V 电压
  • 临时加载 TLV 输入引脚(I DREW 200mA 至 GND ~100ms)
  • 向 TLV 输入引脚施加5V 电压

~后、器件在无负载的情况下消耗 Δ V 200mA 、直到电源被移除并重新接通。 这已经在多个全新器件上进行了测试。

有任何线索可能会发生什么情况? 其他1117稳压器不会发生这种情况。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Phil、您好!

    当通过向 Vout 施加电压而 Vin 无电压进行反向偏置时、会正向偏置内部导通器件体二极管。  在此模式下、内部温度保护未激活、以及电流限制等其他保护特性。  请参阅数据表第11页中的此文本:

    "TLV1117LV 中的 PMOS 传输晶体管具有内置的体二极管、可在输出电压超过输入电压时导通电流。 该电流不受限制;如果要在较高的反向电压下工作、建议将该电流限制在额定输出电流的5%范围内。

    在 Vout 上施加高于 Vin 的电压超出 TLV1117LV 的预期应用范围、而且我们没有在此运行模式下表征 LDO 的数据。  我建议将反向电流限制为不超过额定电流消耗的5%、对于此器件为50mA。

    谢谢。

    斯蒂芬

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    尊敬的 Stephen:

    我完全理解这一点、并已详细阅读了数据表的这一部分。 但是、这种对稳压器的"闩锁"行为的"深入探讨"是由于稳压器进入"闩锁"模式而触发的 、原因仅是稳压器任一侧的电容器浪涌所致。

      当输入和输出电压处于器200mA 件允许的范围 IMO 时、1117器件不能将>GND 灌入其 GND 引脚。 我正在尝试确定器件系列是否有缺陷、或者我购买的器件是否批次不良。

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    Phil、您好!

    我不确定我是否理解了"稳压器任一侧的电容器浪涌电流"这一短语。 通常、如果 LDO 的输出电压大于输入电压则超出器件的预期运行范围、我们建议至少将反向电流限制为额定 LDO 电流的5%或更低。  如前所述、我们不能在输出电压大于输入电压时对该 LDO 进行表征。 通常、TLV1117有一个应用电路、可通过从输出电压到输入电压的外部反向并联二极管来处理反向电流。  TLV1117LV 没有此应用电路、但 TLV1117数据表显示了这一点(下面链接的数据表中的图8-1)、其他 LDO 也显示了这一点。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tlv1117.pdf?ts = 1710188628861&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    如果您的应用中输出电压大于输入电压、我们建议使用具有反向电流保护功能的 LDO、这样您就无需添加外部肖特基二极管。  请告诉我您的输出电流需求以及您尚未在此 E2E 主题中列出的任何其他重要要求、我可以提供一些建议的选项来与您联系。

    谢谢。

    斯蒂芬