[参考译文] UCC24630：同步整流器 MOSFET VDS 过压

您好！

是否尝试过在 VDS 上添加 RC 缓冲器？

此致、

是的、RC 缓冲器会在峰值后出现衰减、但不影响峰值。 我甚至尝试像 RCD 缓冲器那样的东西来转储峰值、但没有成功。

您好！

您的波形看起来没有被缓冲。  如果添加 RC 缓冲器、您应该能够通过正确选择缓冲器电阻器来抑制振铃、从而降低振幅。

R =(L/C)^0.5

RCD 钳位应该非常有效、只需耗散泄漏能量即可。   

以下链接会向您显示应用手册、其中有一个部分用于为开关节点设置 RCD 钳位。  您应该也能够在辅助上的 SR 上使用此功能。  有关如何为钳位选择 Rs 和 C 以确保 FET 不会出现过大的电压、这里有很好的参考资料。

https://www.ti.com/lit/an/sluaac5/sluaac5.pdf

上述应用手册还在一节中讨论了如何在输出整流器之间设置缓冲器。  您可能会发现这也很有用。

此致、

您好！

我试图将 MOS 更改为另一个具有最大 VDS 150V 的 MOS、然后峰值约为190V。 该图片即使使用 RC 缓冲器、这不会影响峰值。

漏源电压—橙色线。

我们将再次尝试 RCD 钳位。

您好！

使用 RCD 钳位、您应该能够保护 FET。  请告诉我它是如何产生的。

此致、

同步整流器是否有倾卸高峰的材料？

只有从 MOS 漏极连接到源极的 RCD 钳位才会发生变化。 橙色是漏极电压峰值、蓝色是 RCD 钳位中 C 上的电压、黄色是初级开关漏极。

您已经编写了这样一篇文章："关于如何为钳位选择 Rs 和 C、以确保 FET 不会出现过大的电压、有了很好的参考文档。" 你能告诉我在哪里可以找到它吗? 我在您发送的应用手册中找不到它。