[参考译文] LM5149：恒定电流环路补偿网络

是的、我的确在不同负载下仿真了负载瞬态、从0.5欧姆到10欧姆、这是我的典型范围。 老实说、使用低 ESR 电容器似乎可以很好地工作、并且我没有简单补偿网络(2.2nF、20k Ω)的稳定性问题、此外、在0.1A 负载时、纹波低于5mA、即使在现实中可能会更糟糕。 我不确定能否在快速负载变化的情况下保持相同的性能...  

以便您得到良好的瞬态图。 您无法仿真更快的负载变化吗？  

-奥兰多

我只是不知道如何对其进行仿真、模型是否也可用于扫描？ 或者我只能将其用于时域仿真？  

您好、我模拟了瞬态、它们看起来很好。 现在我对设计的 MOSFET 选择还有另一个疑问、使用计算器表、根据 图片上的参数、我可以获得非常高的损耗(>15W)。

我认为大多数损耗来自开关(800kHz)以及我的输入电压相当高(60V)这一事实、有什么建议吗？

您好！

是的、您可以附上这个快速入门文档吗？ 通常、高侧 FET 开关损耗取决于 FET QG、COSS 甚至低侧 QRR。

如果 VOUT 更接近 VIN、您可能可以使用具有更低 QG、QRR 和 COSS 的更高 RDSON 低侧 FET。

是的、您肯定需要使用800kHz 的较低 QG FET、同样、对于48V+系统、由于这些损耗、大多数行业使用的开关频率低于500kHz。

-奥兰多

是的、我选择800kHz 是因为我需要15A、所以找到一个具有高 SAT 电流的大电流器件并不容易、而且我也很难找到除 GaN 之外的低 QG FET、但我不确定它们将如何与控制器进行交互...  

我将尽快附加该文档、但我处于恒定电流状态、因此它不会完全有效。

您可能需要配置双相设计、以将电流和损耗分为两个相位。

另外、我对您的输出电压范围感到有点困惑？ 为什么要降低到0V (最小值为0.8V)。

您真的希望电压介于54V 到0.8V 之间吗？

-奥兰多

我总共需要30A 的输出、因此我已经计划对两个15A 模块使用电流共享功能。 输出电压和输出电流有关、仿真中输出电流稳定为0.2A、负载为0.5欧姆、输出电压为100mV +磁场电位、约为1.2V、绝不会低于该电压输出...  

好的。

请注意、800kHz 下的52V 至1.2V 需要更短的最小导通时间。 (1.2/52)/800kHz = 28.8ns、小于器件最短导通时间50ns。

此时 应 进入脉冲跳跃模式、跳过一些导通时间脉冲。 在单相中 、您会看到更高的输出纹波、但我不确定双相的输出纹波有多稳定。

-奥兰多

感谢您的答复、我最后选择了较低的开关频率(450kHz)、因为我需要降低开关损耗、所以现在我的1.2V 最短导通时间几乎恰如其分、即使我需要很多输出电容也是如此。 即使我的设计是双相、以获得30A、我认为在低电流调节时也会关闭次级控制器、以提高效率...  e2e.ti.com/.../6428.LM5149_2D00_LM25149-Quickstart-Calculator_5F00_rev3.xlsm